| 发明名称 | 在芯片上构造通孔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在芯片上构造通孔的方法，所述芯片的最下层为单晶硅构成的硅基底(101)，在硅基底(101)之上依次为层间介质(102)、阻挡金属层(103)以及光刻胶(104)，所述光刻胶(104)通过在先的图案转印工艺形成特定的图形，使得阻挡金属层(103)的部分表面未覆盖光刻胶，该方法包括如下步骤：将所述芯片水平置于反应室中，向反应室中通入组分为四氟化碳(CF4)和二氟二氢化碳(CH2F2)反应气体；将反应气体电离成等离子体，并将反应室施加垂直方向的电压并保持长度为T的一段时间。相对于现有技术，本发明方案可以实现更小的通孔关键尺寸，并使通孔的横截面更加接近矩形。 | ||
| 申请公布号 | CN101958274A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054837.3 | 申请日期 | 2009.07.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩宝东;赵林林;张海洋;孙武 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种在芯片上构造通孔的方法，所述芯片的最下层为单晶硅构成的硅基底(101)，在硅基底(101)之上依次为层间介质(102)、阻挡金属层(103)以及光刻胶(104)，所述光刻胶(104)通过在先的图案转印工艺形成特定的图形，使得阻挡金属层(103)的部分表面未覆盖光刻胶，该方法包括如下步骤：将所述芯片水平置于反应室中，向反应室中通入组分为四氟化碳CF4和二氟二氢化碳CH2F2反应气体；将反应气体电离成等离子体，并将反应室施加垂直方向的电压并保持长度为T的一段时间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||