| 发明名称 | 提高MOS晶体管载流子迁移率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高MOS晶体管载流子迁移率的方法，该方法包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上具有栅极；以TEOS和O2为原料，利用LPCVD的方法形成覆盖所述栅极和所述栅极两侧的半导体基底上表面的氧化物层，当所述半导体基底将形成NMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比小于7∶100，当所述半导体基底将形成PMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比大于7∶100；刻蚀所述氧化物层，形成栅极的侧壁结构；向所述栅极及其侧壁结构两侧的半导体基底中掺杂杂质离子，上述方法提高了MOS晶体管中的载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN101958249A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054948.4 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云;何有丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种提高MOS晶体管载流子迁移率的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上具有栅极；以TEOS和O2为原料，利用LPCVD的方法形成覆盖所述栅极和所述栅极两侧的半导体基底上表面的氧化物层，当所述半导体基底将形成NMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比小于7∶100，当所述半导体基底将形成PMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比大于7∶100；刻蚀所述氧化物层，形成栅极的侧壁结构；向所述栅极及其所述侧壁结构两侧的半导体基底中掺杂杂质离子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||