发明名称 一种具有束状纳米结构的VO<sub>2</sub>相变材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种具有束状纳米结构的VO2相变材料,其特征在于,其长度为18-25,直径为3-5,其中,纳米束晶体由直径为10-30nm的VO2纳米线定向聚合组成。本发明生成的VO2晶体具有特殊的束状纳米结构,粗细均匀,长度一致,且具有相变特性。本发明还公开了该材料的制备方法。本发明具有成本低,生长条件简单,重复性高,杂质少等优点,在纳米光电子领域和智能温控节能领域具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN101955752A 申请公布日期 2011.01.26
申请号 CN201010507800.4 申请日期 2010.10.15
申请人 华东师范大学 发明人 尹海宏;郁可;张正犁;汪阳;娄蕾;曾敏;朱自强
分类号 C09K5/02(2006.01)I;C01G31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 主分类号 C09K5/02(2006.01)I
代理机构 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人 董红曼
主权项 1.一种具有束状纳米结构的VO<sub>2</sub>相变材料,其特征在于,其长度为18-25<img file="2010105078004100001DEST_PATH_IMAGE001.GIF" wi="26" he="26" />,直径为3-5<img file="374417DEST_PATH_IMAGE001.GIF" wi="26" he="26" />,其中,纳米束晶体由直径为10-30nm的VO<sub>2</sub>纳米线定向聚合组成。
地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号