| 发明名称 | 提高沟槽宽度均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高沟槽宽度均匀性的方法，该方法包括：在绝缘层上涂布底部抗反射层，所述底部抗反射层的厚度在晶圆边缘5～10毫米的区域比晶圆中间区域少500～700埃；在所述底部抗反射层的表面涂布光阻胶层；曝光显影图案化所述光阻胶层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述底部抗反射层，形成具有开口的底部抗反射层；对绝缘层进行刻蚀形成沟槽，并去除所述底部抗反射层和光阻胶层。采用该方法能够有效提高刻蚀形成的沟槽宽度均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101958279A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910055167.7 | 申请日期 | 2009.07.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙武 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种提高沟槽宽度均匀性的方法，该方法包括：在绝缘层上涂布底部抗反射层，所述底部抗反射层的厚度在晶圆边缘5～10毫米的区域比晶圆中间区域少500～700埃；在所述底部抗反射层的表面涂布光阻胶层；曝光显影图案化所述光阻胶层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述底部抗反射层，形成具有开口的底部抗反射层；对绝缘层进行刻蚀形成沟槽，并去除所述底部抗反射层和光阻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||