发明名称 用于改进有机发光二极管的聚噻吩制剂
摘要 本发明涉及含有聚噻吩A)的制剂,所述聚噻吩A)包含至少一种含有通式(I)重复单元的聚噻吩,和其它聚合物,还涉及其应用以及电致发光装置,所述电致发光装置中包含含有这些制剂的空穴注入层。<img file="200510051641.0_ab_0.GIF" wi="183" he="132" />
申请公布号 CN1654506B 申请公布日期 2011.01.26
申请号 CN200510051641.0 申请日期 2005.02.08
申请人 H.C.施塔克股份有限公司 发明人 A·埃尔施纳;F·约纳斯;K·罗伊特尔;P·W·勒弗尼希
分类号 C08G61/12(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张元忠;王景朝
主权项 1.一种制剂,包含:A)至少一种含通式(I)重复单元的聚噻吩<img file="FSB00000180955000011.GIF" wi="715" he="538" />其中A表示任选取代的C<sub>1</sub>-C<sub>5</sub>-亚烷基,R表示直链或支链C<sub>1</sub>-C<sub>18</sub>-烷基,C<sub>5</sub>-C<sub>12</sub>-环烷基,C<sub>6</sub>-C<sub>14</sub>-芳基,C<sub>7</sub>-C<sub>18</sub>-芳烷基,C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>-羟基烷基或羟基x表示0-8的整数,并且当多个取代基R键接到A时,这些取代基可以相同或不同;B)至少一种含SO<sub>3</sub><sup>-</sup>M<sup>+</sup>或COO<sup>-</sup>M<sup>+</sup>基的聚合物,其中M<sup>+</sup>表示H<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Rb<sup>+</sup>、Cs<sup>+</sup>或NH<sub>4</sub><sup>+</sup>,并且C)至少一种含SO<sub>3</sub><sup>-</sup>M<sup>+</sup>或COO<sup>-</sup>M<sup>+</sup>基的部分氟代或全氟代聚合物,其中M<sup>+</sup>表示H<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Rb<sup>+</sup>、Cs<sup>+</sup>或NH<sub>4</sub><sup>+</sup>,其中所述至少一种部分氟代或全氟代聚合物C)不是以不可分离的离子络合物形式存在于所述制剂中。
地址 德国戈斯拉