发明名称 |
CMOS图像传感器的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种防止金属焊盘被腐蚀的CMOS图像传感器的制造方法。该CMOS图像传感器的制造方法包括:在半导体衬底上顺序形成介电膜、具有开口的金属焊盘、和第一钝化膜,所述半导体衬底中定义有划道和像素区域;在该像素区域处的该第一钝化膜上形成滤色层;在包括金属焊盘的半导体衬底的整个表面上形成覆盖层,以减小划道和像素区域之间台阶差,在该像素区域处的该覆盖层上形成微透镜,形成光致抗蚀剂以暴露所述划道处的所述覆盖层,在半导体衬底的整个表面上执行蚀刻工艺以蚀刻该划道处的覆盖层,以及通过清洗工艺去除该光致抗蚀剂。本发明具有减小划道和像素区域之间的台阶差以保护金属焊盘的效果,从而保护金属焊盘使其不出现条纹或被腐蚀。 |
申请公布号 |
CN101471295B |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN200810130081.1 |
申请日期 |
2008.07.24 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
尹盈提 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器的制造方法,包括:在半导体衬底上顺序形成介电膜、具有暴露的上表面的金属焊盘、和第一钝化膜,所述半导体衬底中定义有划道和像素区域,其中,所述第一钝化膜包括暴露所述金属焊盘的开口;在包括所述金属焊盘和所述第一钝化膜的半导体衬底的整个表面上形成并固化热固性树脂,以形成第二钝化膜;在所述像素区域处的所述第二钝化膜上形成滤色层;然后通过在包括所述金属焊盘的所述半导体衬底的整个表面上形成覆盖层,来减小所述划道和所述像素区域之间的台阶差,其中,所述覆盖层填充所述开口;在所述像素区域处的所述覆盖层上形成微透镜;然后形成光致抗蚀剂以暴露所述划道处的所述覆盖层;然后在所述半导体衬底的整个表面上执行蚀刻工艺,以蚀刻所述划道处的覆盖层;然后去除所述光致抗蚀剂。 |
地址 |
韩国首尔 |