| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之干扰仪配置,其特征为其系包括电晶体配置。3.如申请专利范围第1项之干扰仪配置,其特征为该输出电导(G)系决定在第一及第二参数,而其中所提供的第一及第二控制装置(7.8)系控制该输出电导。4.如申请专利范围第3项干扰仪之配置,其特征为第一参数是在第一及第二超导电极(5.6)之间的相位差(),而第一控制装置(7)是用来控制该相位差()。5.如申请专利范围第4项之干扰仪配置,其特征为第一控制装置系包括用以提供超电流IG的装置,其系经由在该等两超导闸极(5.6)之间所供应的控制电流源所提供的闸极来提供该超电流IG。6.如申请专利范围第4项之干扰仪配置,其特征为第一控制装置系包括连接第一及第二超导闸极(5.6)的装置,以形成回路(8);及该回路之磁场应用的装置。7.如申请专利范围第3项之干扰仪配置,其特征为第二参数是强磁性基极(3)的交换相互作用能量。8.如申请专利范围第7项之干扰仪配置,其特征为第二控制装置系包括电压源(8),而电压(VB)系提供给该强磁性基极(3)。9.如申请专利范围第4项之干扰仪配置,其特征在于第二控制装置系包括电压源(8),而电压(VB)系提供给该强磁性基极(3);以及提供高电导(G)或输出信号、相位差()系实际控制在(2n+1);其中n=0,1,…,而该所提供的电压(VB)系实质符合于强磁性基极的相互作用能量(ho/e;2ho/e)。10.如申请专利范围第9项之干扰仪配置,其特征为最大値输出电导系提供于(2n+1)和VB=2ho/e。11.如申请专利范围第9项之干扰仪配置,其特征为该源极及该汲极(1.2)系包括诸如Au、Ag、Bi的正常金属,该超导闸极系诸如包括Pb、Al、Nb、Yt、Ba、CuO,而该强磁性基极系包括La、Sr、Ca、或MnO。12.如申请专利范围第11项之干扰仪配置,其特征为该强磁性基极(3)是中间范围。13.如申请专利范围第9项之干扰仪配置,其特征为其系形成逻辑AND元件,当=(2n+1)和VB=2ho/e、或相对于该基极的相互作用能量,亦即当VB和IG是输入的时候,输出信号便会提供。14.如申请专利范围第2至12项中任何一项之干扰仪配置,其系当作逻辑AND元件使用。15.一种逻辑元件,系包括谐振穿隧干扰仪,特别是包括源极和汲极、基极的电晶体,该等源极和汲极系分别经由隧道障碍来连接,而第一及第二超导闸极系配置来控制源-汲极电流ISD,其特征为该基极系包括强磁性材料,以便提供符合于高电导的输出信号,所提供的第一输入信号系提供在该等超导闸极之间的相位差(2n+1),而第二输入信号是电压VB的形式,其系提供给大约相对于(2ho/e)强磁性相互作用交换能量的强磁性基极。16.如申请专利范围第15项之逻辑元件,其特征为该符合于输出电导的输出信号系分别决定在第一及第二参数,而其中第一及第二控制装置系提供来控制该输出电导,该等第一及第二控制装置必须受到激励,以提供输出信号。17.如申请专利范围第15或16项之逻辑元件,其特征为第一输入信号是由第一控制装置所提供,而该装置是出用以产生超电流的装置所组成,而第二控制装置系包括用以提供电压VB电压源。18.如申请专利范围第17项之逻辑元件,其特征为第一控制装置系包括连接第一及第二超导闸极的装量、及用以将磁场提供给该回路的装置,而该回路系造成奇数倍的相位差。19.一种包括复数个逻辑AND元件之电路,其中至少一些AND元件包括一逻辑元件,其包括谐振穿隧干扰仪,特别是包括源极和汲极、基极的电晶体,该等源极和汲极系分别经由隧道障碍来连接,而第一及第二超导闸极系配置来控制源-汲极电流ISD,其特征为该基极系包括强磁性材料,以便提供符合于高电导的输出信号,所提供的第一输入信号系提供在该等超导闸极之间的相位差(2n+1),而第二输入信号是电压VB的形式,其系提供给大约相对于(2ho/e)强磁性相互作用交换能量的强磁性基极。20.一种用以控制隧道超导干扰仪电导之方法,例如电晶体系包括源极和汲极、基极,而源极和汲极系分别经由隧道障碍而连接,该基极细形成双障碍量化井,而第一及第二超导闸极系控制源-汲极电流,其特征为该基极系包括一强磁性材料,并且包括下列步骤:-控制在该等超导闸极之间的相位差,以便提供在启动谐振穿隧的量化井中的束缚状态,-将电压提供至基极,而该基极系包括强磁性材料,以致于谐振穿隧系假设教高的値而如此会提供较高或实质上最大的电导。21.如申请专利范围第20项之方法,其特征在于还包括下列步骤:-提供接近于2ho/e的电压,而该电压系符合于该强磁性基极的相互作用交换能量,-提供相位差=(2n+1)。22.如申请专利范围第21项之方法,其特征为提供等于奇数倍的相位差,其系包括下列步骤:-连接该超导闸极,如此便提供回路,-经由该超导回路来提供磁场。23.如申请专利范围第21项之方法,其特征为其系包括下列步骤:经由超导电极所产生的超电流IG来控制在等超导闸极之间的该相位差。图式简单说明:图1系根据本发明而显示电晶体配置的第一具体实施例,图2系根据本发明而显示配置的第二具体实施例,图3A系描述相对不同能量带所占据的电子图式,图3B是图3A明显指出交换相互作用能量ho的相对旋转的电子不同图式,图4A系根据本发明而描述配置电导振动的图式,图4B系描述在图4A中所发生电洞-电子交换图式,图5系描述决定在所提供能量和相位差的谐振图式,和图6系显示不同相位差的电流-电压特性。 |
