半导体之电镀沉积方法

摘要

一种半导体之电镀沉积方法。本发明系利用振荡波(OscillationWave)，于具高高宽比(AspectRatio)之开口(Opening)，如介层窗或接触窗等的电镀沉积时，振荡电解液中之电解质使其在开口内产生流动，而使得电解质在开口内均匀分布，以达到良好之阶梯覆盖(StepCoverage)，进而减少沉积层在开口边缘所产生之突悬(Overhang)现象与沉积层在开口内形成时产生孔洞(Voids)。

主权项

1.一种半导体之电镀沉积的方法,至少包括:提供具有一开口之一基材;在一电镀沉积装置之一电镀槽内置入一电解液,其中该电解液内至少含有一电解质,且该电镀沉积装置具有一振荡波源用以振荡该电解液;以及以一电镀方式进行一沉积步骤,用以在该基材之该开口中形成一沉积层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该振荡波源可产生复数个振荡波用以移动该电解液与该电解质。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该些振荡波之频率系决定于该电解质之体积。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该些振荡波之频率系决定于该电解质之重量。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该些振荡波之振幅系决定于该电解质之体积。6.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该些振荡波之振幅系决定于该电解质之重量。7.一种半导体之电镀沉积装置,用以在一基材之一开口中沉积一沉积层,该电镀沉积装置至少包括:一电镀槽,其中该电镀槽内含有一电解液与至少一电解质;以及一振荡波源,可产生复数个振荡波,其中该些振荡波之频率与振幅系决定于该至少一电解质之体积与重量。图式简单说明:第1图为绘示习知沉积完成后之开口的剖面图;第2图为绘示习知以电镀方式初始沉积之开口的剖面图;第3图为绘示习知反向电镀第2图之开口后的剖面图;第4图为绘示习知以电镀方式持续沉积第3图之开口后的剖面图;第5图为绘示习知反覆以电镀与反向电镀所沉积完成之开口的剖面图;第6图为绘示本发明之一较佳实施例之以振荡波进行之电镀沉积装置的示意剖面图;第7图为绘示本发明之一较佳实施例之启动振荡波源后,电解液中之电解质流动方向与电镀沉积装置的示意剖面图;第8图为绘示本发明之一较佳实施例电镀沉积一段时间后之开口的剖面图;以及第9图为绘示本发明之一较佳实施例完成电镀沉积后之开口的剖面图。