| 发明名称 | 在层内对准局部的开孔 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在微电子结构上在层(15)内对准局部的开孔方法,其中凸起的辅助结构(11)沉积到衬底(1,5,7,9)上,使它覆盖一部分衬底(1,5,7,9)表面,应开孔的层(15)沉积到辅助结构(11)上,并且通过平面蚀刻,去除层(15)的材料,必要时去除其它材料(17)直到在辅助结构(11)上的层开孔和辅助材料(13)暴露为止。 | ||
| 申请公布号 | CN1329359A | 申请公布日期 | 2002.01.02 |
| 申请号 | CN01121012.5 | 申请日期 | 2001.06.14 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·克雷恩克;G·欣德勒 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;梁永 |
| 主权项 | 1.在层(15)内，尤其在微电子结构上的保护层内对准局部的开孔方法，其特征为，—由辅助材料(13)构成的至少一种凸起的辅助结构(11)沉积到衬底(1，5，7，9)上，必要时有位于其上的结构，使辅助结构复盖衬底(1，5，7，9)的一部分表面，—应开孔的层(15)沉积到辅助结构(11)上，使它复盖衬底(1，5，7，9)和辅助结构(11)的有关联的表面区域，以及—通过基本上平面蚀刻去除层(15)的材料，必要时去除处于表面上的其它材料(17)直到在辅助结构(11)上的层(15)开孔，并且露出辅助材料(13)为止。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||