具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法

摘要

具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法，分布布拉格反射层形成于衬底上，第一型磊晶层形成于分布布拉格反射层上，发光层形成于第一型磊晶层上，第二型磊晶层形成于发光层上，表面呈凹陷的交叉状扩展条的图形化GaP窗口层形成于第二型磊晶层上；第一电极形成于图形化GaP窗口层正上方，第一电极与图形化GaP窗口层呈中空电流阻塞结构；第二电极形成于衬底背面。本发明完成常规工艺后，采用第一电极与图形化GaP窗口层形成以空气为介质的中空电流阻塞结构，以改变电流从发光层到达表面扩展层的方向，将更多的电流从GaP窗口层四周扩展后汇集至电极，使发光二极管比采用公知技术的二极管的发光效率提高30～50%。

主权项

具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管，包括一衬底，分布布拉格反射层形成于衬底上，第一型磊晶层形成于分布布拉格反射层上，发光层形成于第一型磊晶层上，第二型磊晶层形成于发光层上，表面呈凹陷的十字交叉状扩展条的图形化GaP窗口层形成于第二型磊晶层上；第一电极形成于图形化GaP窗口层正上方，第一电极与图形化GaP窗口层呈中空电流阻塞结构；第二电极形成于衬底背面。