发明名称 |
低成本的太阳能电池及其生产方法 |
摘要 |
公开了无需进行冶金级硅的气化来制造太阳能电池的方法。因此,避免了在太阳能级或硅级硅(silicon grade silicon)的制造中涉及的成本和健康以及环境危害。太阳能电池结构体包括冶金级掺杂的硅基板和在该基板上形成的薄膜结构,其与该基板形成p-i-n结。该基板可以是掺杂的p-型,以及薄膜结构可以是在该基板上形成的本征非晶层和在该本征层上形成的n-型非晶层。 |
申请公布号 |
CN101960618A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN200880115434.9 |
申请日期 |
2008.11.07 |
申请人 |
森普雷姆有限公司 |
发明人 |
辛哈·阿肖克 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
钟晶 |
主权项 |
一种用于制造太阳能电池的基板的制造方法,包括:生产冶金级硅固体物;使该固体物熔融到模具中;使熔体凝固为铸锭;以及将铸锭切片成冶金硅晶片。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |