发明名称 |
外腔半导体激光器 |
摘要 |
本发明公开一种外腔半导体激光器,在半导体激光器外腔的主光路中主要布设有:光学谐振腔、光学隔离器和1/2波片;所述半导体激光管发出的光束能够经第一1/2波片正向通过光学隔离器,所述半导体激光器的经谐振腔透射的光束经第二1/2波片后反向通过光学隔离器,使此后沿着与原出射光束共线反向的路径返回到半导体激光管中。本发明通过相对简单的装置解决了常规外腔半导体激光器谱线较宽的问题。 |
申请公布号 |
CN101958510A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN201010225143.4 |
申请日期 |
2010.07.07 |
申请人 |
中国计量科学研究院 |
发明人 |
臧二军;赵阳;李烨;曹建平;方占军 |
分类号 |
H01S5/14(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/14(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李弘 |
主权项 |
一种外腔半导体激光器,其特征在于,在半导体激光器外腔的主光路中布设有:光学谐振腔、光学隔离器和1/2波片;半导体激光器的布设使得所述半导体激光管发出的光束能够经第一1/2波片正向通过光学隔离器,并且透射过所述谐振腔的光束能够经第二1/2波片后反向通过光学隔离器,使此后沿着与原出射光束共线反向的路径返回到半导体激光管中。 |
地址 |
100013 北京市北三环东路18号 |