可堆栈式半导体封装结构

摘要

本发明关于一种半导体工艺，其包括以下步骤：(1)形成一第一导电材料于一基板的一上表面，以形成数个第一导电凸块；(2)电性连接一半导体组件至该基板的上表面；(3)形成一封胶材料，以形成一封胶结构，该封胶结构覆盖这些第一导电凸块及该半导体组件，这些第一导电凸块的顶端凹陷于该封胶结构的一上表面之下；(4)形成数个邻接于该封胶结构的上表面的开口，这些开口显露这些第一导电凸块的顶端；(5)形成一第二导电材料于这些开口中，以形成数个第二导电凸块；及(6)形成数条切割狭缝，这些切割狭缝延伸通过该封胶结构及该基板。

主权项

一种半导体工艺，包括：提供一基板，该基板包括一上表面及数个焊垫，这些焊垫邻接于该基板的上表面；形成一第一导电材料于该基板的上表面，以形成数个第一导电凸块，这些第一导电凸块邻接于相对应的这些焊垫；电性连接一半导体组件至该基板的上表面；形成一封胶材料于该基板的上表面，以形成一封胶结构，该封胶结构覆盖这些第一导电凸块及该半导体组件，该封胶结构包括一上表面，这些第一导电凸块的顶端凹陷于该封胶结构的上表面之下；形成数个邻接于该封胶结构的上表面的开口，这些开口显露这些第一导电凸块的顶端；形成一第二导电材料于这些开口中，且于该第一导电凸块的顶端上，以形成数个第二导电凸块；及形成数条切割狭缝，这些切割狭缝延伸通过该封胶结构及该基板。