| 发明名称 | 双侧化学研磨半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 同时双侧处理半导体晶片的方法，所述半导体晶片以自由活动的方式位于多个借助于辊设备旋转的载体之一的切口中，从而沿着摆线轨迹移动，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以除去材料的方式进行处理，其中每个工作盘包括含有研磨材料的工作层，其中在所述处理期间提供不含研磨材料的碱性介质。 | ||
| 申请公布号 | CN101954620A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN201010144739.1 | 申请日期 | 2010.03.22 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 同时双侧处理半导体晶片的方法，所述半导体晶片以自由活动的方式位于多个借助于辊设备旋转的载体之一的切口中，从而沿着摆线轨迹移动，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以除去材料的方式进行处理，其中每个工作盘包括含有研磨材料的工作层，其中在所述处理期间提供不含研磨材料的碱性介质。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||