发明名称 |
集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片,在单一的存储芯片内,集成有多个的存储模块,这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器,特别是嵌入式存储器的使用过程中,充分发挥各种性能不同存储模块的优势:对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储,对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储,对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。 |
申请公布号 |
CN101593765B |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN200910053998.0 |
申请日期 |
2009.06.26 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;张复雄;向阳辉;封松林;陈邦明 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01)I |
代理机构 |
上海泰能知识产权代理事务所 31233 |
代理人 |
黄志达;宋缨 |
主权项 |
一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片,单一的存储芯片内包含至少2个电阻转换存储模块,其特征在于:在所述的单一的存储芯片内集成有至少2种具备不同的编程功耗、编程速率、疲劳特性或数据保持能力的电阻转换存储模块;所述不同的电阻转换存储模块采用不同性能的存储材料,或具备不同的器件结构,或包括不同的电极材料、形状或尺寸,或不同的器件保温结构,或不同的加热及保温层,或不同的存储单元形状和尺寸;至少2个电阻转换存储模块在存储芯片中共享驱动电路及外围电路,各个存储模块是一体制造,或者是通过集成分立存储模块得到。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |