| 发明名称 | 用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN101960556A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200980107844.3 | 申请日期 | 2009.03.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 刘俊军;多雷尔·I·托玛;埃里克·M·李 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 王安武;南霆 |
| 主权项 | 一种固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其包括如下步骤：在衬底上形成低k电介质膜；将所述低k电介质膜暴露于第一红外(IR)辐射；在暴露于所述第一IR辐射之后，将所述低k电介质膜暴露于紫外(UV)辐射；并且在暴露于所述UV辐射之后，将所述低k电介质膜暴露于第二红外(IR)辐射，其中，所述低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||