| 发明名称 | 改善半导体元器件性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明中公开了一种改善半导体元器件性能的方法，该方法包括：预先指定半导体元器件制造工艺中的至少一个工艺过程；对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作，降低整个制造工艺中的热预算的总量，改善半导体元器件性能。通过使用上述的改善半导体元器件性能的方法，可减小SCE和NWE对半导体元器件所产生的不利影响，改善半导体元器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101958226A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054803.4 | 申请日期 | 2009.07.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 居建华;刘兵武;神兆旭 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种改善半导体元器件性能的方法，该方法包括：预先指定半导体元器件制造工艺中的至少一个工艺过程；对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||