| 发明名称 | CMP浆料及使用该浆料进行抛光的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种当用于例如对氧化硅层进行抛光或使其平坦化时能够减少凹陷的产生的CMP浆料，并涉及一种抛光方法，所述CMP浆料包含一种抛光磨料、一种线型阴离子聚合物、一种包含磷酸基的化合物和水，且CMP对氧化硅层的抛光速度∶CMP对氮化硅层的抛光速度的比率为30∶1至50∶1。 | ||
| 申请公布号 | CN101959983A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200980107520.X | 申请日期 | 2009.03.03 |
| 申请人 | 株式会社LG化学 | 发明人 | 金钟珌;曹昇范;鲁埈硕;金长烈 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;苏萌 |
| 主权项 | 一种化学机械抛光(CMP)浆料，其包含一种抛光磨料、一种线型阴离子聚合物、一种含磷酸基的化合物及水，其中CMP对氧化硅层的抛光速度∶CMP对氮化硅层的抛光速度的比率为30∶1至50∶1。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||