| 主权项 |
1.一种抗蚀剂图案之形成方法,系为应用于离子植入者,其包含有如下步骤:在半导体基板(501)上,形成有机系防反射涂膜(503)的步骤;将上述有机系防反射涂膜(503)夹在中间,于上述半导体基板(501)上形成抗蚀剂(504)的步骤;对上述抗蚀剂(504)进行图案绘制,形成具有开口区的抗蚀剂图案(508)的步骤;及除去曝露于上述抗蚀剂图案(508)开口区底部的上述有机系防反射涂膜(503)的一部分的步骤。2.如申请专利范围第1项之抗蚀剂图案之形成方法,其中上述有机系防反射涂膜(503)的一部分之除去,系使用臭氧来加以完成者。3.如申请专利范围第1项之抗蚀剂图案之形成方法,其中上述有机系防反射涂膜(503)的一部分之除去,系使用原子氧来加以完成者。4.如申请专利范围第3项之抗蚀剂图案之形成方法,其中上述使用的原子氧,系藉由空气形成者。5.如申请专利范围第3项之抗蚀剂图案之形成方法,其中上述使用的原子氧,系藉由O2电浆形成者。6.如申请专利范围第2项之抗蚀剂图案之形成方法,其中使用上述臭氧藉以除去有机系防反射涂膜(503)的步骤系包含有:使上述半导体基板(501)与臭氧接触的步骤;及加热上述半导体基板(501),使上述臭氧进行热分解的步骤。7.如申请专利范围第4项之抗蚀剂图案之形成方法,其中藉由上述空气形成上述原子氧的步骤包含有:使上述半导体基板(501)与空气接触的步骤;及对上述半导体基板(501)照射准分子光的步骤。8.如申请专利范围第5项之抗蚀剂图案之形成方法,其中藉由上述O2电浆形成上述原子氧的步骤包含有:从上述O2电浆中,除去带有正电荷的带电粒子和带有负电荷的带电粒子的步骤。9.一种半导体装置之制造方法,其包含有:在半导体基板(501)上,形成有机系防反射涂膜(503)的步骤;将上述有机系防反射涂膜(503)夹在中间,于上述半导体基板(501)上形成抗蚀剂(504)的步骤;对上述抗蚀剂(504)进行图案绘制,形成具有开口区的抗蚀剂图案(508)的步骤;除去曝露于上述抗蚀剂图案(508)的开口区底部的上述有机系防反射涂膜(503)的一部分的步骤;及使用上述抗蚀剂图案(508),对上述半导体基板(501)表面植入离子的步骤。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中上述有机系防反射涂膜(503)的一部分之除去,系使用臭氧加以完成者。11.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中上述有机系防反射涂膜(503)的一部分之除去,系使用原子氧加以完成者。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中上述原子氧,系藉由空气形成者。13.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中上述原子氧,系藉由O2电浆形成者。14.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中使用上述臭氧除去有机防反射涂膜(503)的步骤包含有:使臭氧与半导体基板(501)接触的步骤;及加热上述半导体基板(501),使上述臭氧分解的步骤。15.一种有机系防反射涂膜之除去装置,其系在半导体基板(608)上形成者,其包含有:收容形成有机系防反射涂膜的半导体基板(608)的反应容器(606);装设在上述反应容器(606)内,用以加热上述半导体基板(608)的加热机构(609);及供给臭氧至上述反应容器(606)的供给机构(601)。图式简单说明:图1是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第1步骤的半导体装置的剖面图。图2是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第2步骤的半导体装置的剖面图。图3是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第3步骤的半导体装置的剖面图。图4是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第4步骤的半导体装置的剖面图。图5是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第5步骤的半导体装置的剖面图。图6是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第6步骤的半导体装置的剖面图。图7是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第7步骤的半导体装置的剖面图。图8是关于实施形态的抗蚀剂图案形成方法顺序的第8步骤的半导体装置的剖面图。图9是关于实施例1的有机系防反射涂膜的除去装置示意图。图10是关于实施例2的有机系防反射涂膜的除去装置示意图。图11是关于实施例3的有机系防反射涂膜的除去装置示意图。图12是关于习知的抗蚀剂图案的形成方法的顺序的第1步骤的半导体装置的剖面图。图13是关于习知的抗蚀剂图案的形成方法的顺序的第2步骤的半导体装置的剖面图。图14是关于习知的抗蚀剂图案的形成方法的顺序的第3步骤的半导体装置的剖面图。图15是关于习知的抗蚀剂图案的形成方法的顺序的第4步骤的半导体装置的剖面图。图16是关于习知的抗蚀剂图案的形成方法的顺序的第5步骤的半导体装置的剖面图。图17A、17B是显示习知的抗蚀剂图案的形成方法所存在问题点的图。图18A、18B是显示习知的抗蚀剂图案的形成方法所存在的另一问题点的图。图19A、19B是显示习知的抗蚀剂图案的形成方法所存在的再一问题点的图。图20是在使用习知的含有感光抗蚀剂时形成的抗蚀剂图案的剖面图。图21是在使用习知的有机系防反射涂膜时形成的抗蚀剂图案的剖面图。 |
