台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片的加工方法

摘要

本发明提出一种台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片的加工方法，用于制作两种不同厚度的台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片。绝缘体上硅依次包括硅衬底层、氧化掩埋层和顶层单晶硅，顶层单晶硅具有第一厚度。该加工方法包括以下步骤：在顶层单晶硅上沉积一层硬质掩模层(hard mask)，涂覆光刻胶并曝光显影；刻蚀未被光刻胶覆盖的部分硬质掩模层至曝露出顶层单晶硅；去除残留光刻胶；热氧化；去除热氧化层；去除硬质掩模层。本制作方法使用灵活，可以利用已有的体硅CMOS集成电路工艺，进行同一片上的CMOS集成电路和硅基光电子器件的集成，节约同一片上的CMOS集成电路和硅基光电子器件的集成的开发时间和成本。

主权项

一种台阶式顶层单晶硅的绝缘体上硅衬底硅片的加工方法，用于在绝缘体上硅工艺中制作台阶式顶层单晶硅的半导体衬底，所述绝缘体上硅依次包括衬底层、氧化掩埋层和顶层单晶硅，所述顶层单晶硅具有第一厚度，其特征是，所述加工方法包括以下步骤：在所述顶层单晶硅上沉积硬质掩模层；在所述硬质掩模层上涂覆光刻胶并曝光显影；刻蚀未被光刻胶覆盖的部分硬质掩模层至曝露出部分顶层单晶硅；去除残留光刻胶；热氧化所述部分顶层单晶硅至第二厚度；去除热氧化层；以及去除硬质掩模层。