| 发明名称 | 真空处理方法以及真空处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种真空处理方法以及真空处理装置，该真空处理方法即使在增加制膜速度的情况下，SiH2/SiH比也不会增高，并能够通过防止膜质的恶化来获得较高的生产率。在该真空处理方法中，使设置于负压环境下的制膜室(6)内的基板(8)处于由均热板(加热机构)(5)加热了的状态，向与上述基板(8)对置配置的放电电极(3)供电，由此，向基板(8)实施制膜，其中，以将基板(8)和放电电极(3)的温度差设为在30℃以下的状态而制膜。进而，也可以将基板(8)和放电电极(3)之间设为7.5mm以下而制膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101548365B | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200880000850.4 | 申请日期 | 2008.01.30 |
| 申请人 | 三菱重工业株式会社 | 发明人 | 宫原弘臣;西宫立享 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种真空处理方法，使设置于负压环境下的制膜室内的基板处于由加热机构加热了的状态，向所述制膜室内供给原料气体，并向与所述基板对置配置的放电电极供电，由此，向所述基板实施制膜，其中，以将所述基板和放电电极的温度差设为在30℃以下的状态，将所述基板和所述放电电极之间设为4.5mm以上且7.5mm以下，将所述制膜室内的制膜压力设为150Pa以上且500Pa以下，将所述基板的温度设为200℃以下，抑制要制膜而成的非晶硅i层的SiH2/SiH比，来进行制膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||