一种阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种阻变存储器及其制造方法，属于集成电路技术领域。该阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，该MIM结构的中间层为，依次叠加的第一层聚对二甲苯聚合物膜、金属或金属氧化物纳米层和第二层聚对二甲苯聚合物膜。本发明利用聚对二甲苯聚合物和金属/金属氧化物的组合作为阻变材料，可制备出有较好的阻变特性和工艺兼容性的阻变存储器。聚对二甲苯聚合物的制备方法采用无副产品和无溶剂污染的室温汽相化学淀积工艺，与CMOS其他模块兼容。且聚对二甲苯耐标准光刻工艺中使用的溶液和溶剂，可以使用CMOS标准光刻技术工艺制备该阻变存储器，从而提高了存储器的存储密度。

主权项

一种阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，其特征在于，该MIM结构的中间层结构为，依次叠加的第一层聚对二甲苯聚合物膜、金属纳米层或金属氧化物纳米层和第二层聚对二甲苯聚合物膜。