| 发明名称 | 浮栅放电尖角的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供浮栅放电尖角的制作方法，所述浮栅放电尖角的制作方法至少包括如下步骤：氧化所述浮栅的侧墙，形成侧壁氧化层；去除所述侧壁氧化层和部分浮栅顶角氧化层，以形成浮栅放电尖角。本发明制作的浮栅放电尖角得尖锐程度很大，可以提高Flash数据擦除速度。 | ||
| 申请公布号 | CN101958240A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054928.7 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李勇;刘艳;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种浮栅放电尖角的制作方法，包括步骤：在衬底上依次形成第一氧化层、浮栅层、第一氮氧化硅层、第二氧化层、第二氮氧化硅层、控制栅层、第三氧化层、第三氮氧化硅层；对所述第一氮氧化硅层、第二氧化层、第二氮氧化硅层、控制栅层、第三氧化层、第三氮氧化硅层进行掩模、刻蚀，以形成控制栅；依次形成第四氧化层、第四氮化硅层；以所述控制栅为掩模刻蚀所述第四氧化层、第四氮化层和浮栅层，以形成浮栅；氧化所述浮栅的侧墙，形成侧壁氧化层；去除所述侧壁氧化层和部分浮栅顶角氧化层，以形成浮栅放电尖角。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||