发明名称 |
一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法。它是采用化学溶液方法将铜、铟、镓的硝酸盐或氯化盐溶于醇类,将高纯硒粉溶于胺类,按一定原子组分比将两份溶液混溶在一起,并加入适量的粘度调节剂,配成稳定的前驱体溶液。采用非真空工艺在衬底上制备前驱体薄膜,然后低温热处理前驱体薄膜,最后采用固态源硒化工艺,制备得到目标CuIn1-xGaxSe2薄膜材料。本发明的特点是操作简单,成本低廉,制备过程环境友好,原料利用率高,薄膜组分可控,易于制备大面积高质量的CIGS薄膜。 |
申请公布号 |
CN101958369A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN201010237578.0 |
申请日期 |
2010.07.27 |
申请人 |
上海太阳能电池研究与发展中心 |
发明人 |
褚君浩;马建华;姚娘娟;朱晓晶;王善力;江锦春 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法,其特征在于步骤如下:§A前驱体溶液的配制溶质为:铜、铟、镓的硝酸盐或氯化盐,纯度为99.99%高纯硒粉,它们的原子组分比为:Cu∶In∶Ga∶Se=1∶0.7~1.4∶0~0.5∶0~0.02;溶剂为:醇类和胺类;粘度调节剂与溶剂的质量比为1∶10~20;首先将铜、铟、镓的硝酸盐或氯化盐溶于醇类;再将高纯硒粉按0~0.06M的浓度溶于胺类;按照上述的原子组分比将两份溶液混溶在一起,并添加粘度调节剂,室温充分搅拌8~14小时,形成稳定的前驱体溶液,通过添加或减少醇类或胺类的用量,将前驱体溶液中Cu原子的浓度控制在0.1~0.5M;§B前驱体薄膜的制备在常温、常压的大气环境中,采用常规的成膜工艺,如旋涂法、提拉法或刮涂法在衬底上制备前驱体薄膜,薄膜厚度由器件要求而定;§C前驱体薄膜的低温热处理将前驱体薄膜放入退火炉中,在200~300℃的温度下,热处理5~20分钟;§D前驱体薄膜的高温硒化退火处理再将前驱体薄膜放入硒化炉中,采用99.99%的高纯硒粉作为硒源,采用固态源硒化工艺,在400~500℃温度下进行硒化退火处理15~40分钟,即形成目标的CuIn1‑xGaxSe2薄膜。 |
地址 |
201201 上海市浦东龙东大道6101号8栋1楼 |