| 发明名称 | 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于在SOI上面外延一层SiGe层，然后将SOI材料淘空，通过应力转移法，将SiGe的应力转移到SOI材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄膜层。所获得悬空的应变硅薄膜层的厚度为10-50nm。由本发明提供的工艺只需简单的一步外延工艺和湿法刻蚀工艺实施，避免了大量穿透位错的产生，获得高质量的应变硅薄膜材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101958271A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN201010223135.6 | 申请日期 | 2010.07.09 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于先在SOI上面外延一层SiGe层，然后将SOI材料淘空，通过应力转移法，将SiGe的应力转移到SOI材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄膜层。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||