| 发明名称 | 形成光刻对准标记的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成光刻对准标记的方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上预先生长一层或多层薄膜；步骤2，通过光刻、刻蚀形成一个凸起的零层标记，这个标记用于埋层和外延后第一层的光刻对位标记；步骤3，外延生长，在硅衬底和凸起的零层标记上外延生长形成外延层。该方法利用外延选择性生长的特点，造成凸起的对准标记上不能或不能完全外延生长进而与周边正常的外延层形成较高的对比度来提高光刻对准能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101958237A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910057605.3 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 季伟;吴鹏 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种形成光刻对准标记的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上预先生长一层或多层薄膜；步骤2，通过光刻、刻蚀形成一个凸起的零层标记，这个标记用于埋层和外延后第一层的光刻对位标记；步骤3，外延生长，在硅衬底和凸起的零层标记上外延生长形成外延层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||