发明名称 高性能异质结构发光装置及方法
摘要 一种层式异质结构发光装置,至少包括衬底、n型氮化镓基半导体覆层区、p型氮化镓基半导体覆层区、p型氧化锌基空穴注入层区及欧姆接触层区。可替选地,该装置还可包括帽罩层区,或者还可包括反射层区和保护帽罩层区。该装置还可包括一个或多个邻近于欧姆接触层区的埋入插层。欧姆接触层区可由诸如氧化铟锡、氧化镓锡或氧化铟锡材料组成。n电极焊盘形成为与n型氮化镓基覆层区电接触。p型焊盘形成为与p型区电接触。
申请公布号 CN101960603A 申请公布日期 2011.01.26
申请号 CN200980108142.7 申请日期 2009.01.06
申请人 莫克斯特尼克公司 发明人 柳元仁;李泰硕;亨利·怀特
分类号 H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L29/06(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种具有层式结构的异质结构发光装置,包括:衬底,n型氮化镓基半导体覆层区,氮化镓基有源层区,p型氮化镓基覆层区,p型氧化锌基空穴注入层区,以及欧姆接触层区。
地址 美国密苏里州