发明名称 | 高性能异质结构发光装置及方法 | ||
摘要 | 一种层式异质结构发光装置,至少包括衬底、n型氮化镓基半导体覆层区、p型氮化镓基半导体覆层区、p型氧化锌基空穴注入层区及欧姆接触层区。可替选地,该装置还可包括帽罩层区,或者还可包括反射层区和保护帽罩层区。该装置还可包括一个或多个邻近于欧姆接触层区的埋入插层。欧姆接触层区可由诸如氧化铟锡、氧化镓锡或氧化铟锡材料组成。n电极焊盘形成为与n型氮化镓基覆层区电接触。p型焊盘形成为与p型区电接触。 | ||
申请公布号 | CN101960603A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
申请号 | CN200980108142.7 | 申请日期 | 2009.01.06 |
申请人 | 莫克斯特尼克公司 | 发明人 | 柳元仁;李泰硕;亨利·怀特 |
分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
主权项 | 一种具有层式结构的异质结构发光装置,包括:衬底,n型氮化镓基半导体覆层区,氮化镓基有源层区,p型氮化镓基覆层区,p型氧化锌基空穴注入层区,以及欧姆接触层区。 | ||
地址 | 美国密苏里州 |