实现太阳能电池缓变叠层减反射薄膜的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池生产方法领域，尤其是实现太阳能电池缓变叠层减反射薄膜的方法。在经处理后的太阳能电池硅片受光表面通过化学气相沉积工艺法进行沉积减反射薄膜，开始沉积时的气体为SiH4和NH3的混合气体或SiH4和N2的混合气体，在沉积过程中逐渐加入N2O，使得薄膜的组分由硅片表面的氮化硅向外层变为硅的氮氧化物再向外层变为二氧化硅，薄膜的厚度在50nm～300nm之间。本发明沉积速度快，产量高，能一次实现多种薄膜的沉积，沉积出来的薄膜致密度高。沉积的薄膜能有效地降低有不同薄膜组合带来的界面态，沉积出的薄膜具有特有的氮氧化硅兼具有氧化硅和氮化硅的优点，而且简单容易控制，成本低，高效率。

主权项

一种实现太阳能电池缓变叠层减反射薄膜的方法，其特征在于：在经处理后的太阳能电池硅片受光表面通过化学气相沉积工艺法进行沉积减反射薄膜，开始沉积时的气体为SiH4和NH3的混合气体或SiH4和N2的混合气体，在沉积过程中逐渐加入N2O，使得薄膜的组分由硅片表面的氮化硅向外层变为硅的氮氧化物再向外层变为二氧化硅。