| 发明名称 | 半导体发光元件、该半导体发光元件的制造方法以及使用该半导体发光元件的灯 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够有效地输出蓝色光或紫外光的半导体发光元件以及使用该半导体发光元件的灯。在制造具有至少含p型半导体层的化合物半导体层和在该p型半导体层上设置的透明电极的半导体发光元件时，通过在上述p型半导体层上形成非晶质状态的由铟和镓构成的氧化物膜、或者形成非晶质状态的由铟、镓和锡构成的氧化物膜，从而形成透明导电膜，然后，在200～480℃的温度下对上述透明导电膜进行退火处理的工序，制造出半导体发光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101960625A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200980107932.3 | 申请日期 | 2009.03.05 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 中山德行;阿部能之 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 菅兴成;吴小瑛 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，具有至少含p型半导体层的化合物半导体层和在该p型半导体层上设置的透明电极，其特征在于，通过由铟和镓构成的氧化物的透明导电膜来形成所述透明电极。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||