| 发明名称 | 深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置 | ||
| 摘要 | 一种深反应离子刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括多个循环进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤供应刻蚀反应气体，聚合物沉积步骤供应侧壁保护气体，刻蚀步骤和聚合物沉积步骤之间的转换过程中，刻蚀气体和侧壁保护气体供应时间存在重叠。使用该发明的深反应离子刻蚀方法刻蚀的深通孔的侧壁具有良好的光滑度，并且刻蚀效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN101958244A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910055105.6 | 申请日期 | 2009.07.21 |
| 申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 尹志尧;吴万俊;刘鹏 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;G05D7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种深反应离子刻蚀方法，包括多个循环进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，其特征在于，所述刻蚀步骤供应刻蚀反应气体，聚合物沉积步骤供应侧壁保护气体，刻蚀步骤和聚合物沉积步骤之间的转换过程中，刻蚀气体和侧壁保护气体供应时间存在重叠。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东华东路5001号金桥出口加工区(南区)中央大道188号 | ||