| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件层叠了半导体芯片或层叠了安装有半导体芯片的布线衬底，在此器件中，层叠了半导体芯片或布线衬底的电极间的连接结构(1)包括：以Cu为主要成分的一对电极(2，3)；和夹在一对电极(2，3)之间的由Sn-In类合金形成的焊料层(5)，在该焊料层(5)中分散有Sn-Cu-Ni化合物(6)。能在低温、低负荷下可靠连接，连接部即使在层叠工艺、其后的安装工艺等中被加热也能保持形状。 | ||
| 申请公布号 | CN101958298A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN201010206061.5 | 申请日期 | 2010.06.13 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 秦英惠;中村真人;木下顺弘;绀野顺平;依田智子 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;孟祥海 |
| 主权项 | 一种半导体器件，层叠了半导体芯片或层叠了安装有半导体芯片的布线衬底，其特征在于，所层叠的上述半导体芯片或上述布线衬底的电极之间的连接结构包括：以Cu为主要成分的一对电极；和夹在上述电极之间的基于Sn‑In类合金的焊料层，在上述焊料层中分散有Sn‑Cu‑Ni化合物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||