Ⅲ族氮化物半导体激光二极管

摘要

一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管(11)具有：III族氮化物基板(13)，其具有半极性的主面(13a)；n型包层(15)，由含Al的III族氮化物构成；活性层(17)；p型包层(19)，由含Al的III族氮化物构成；第1导光层(21)，设置于n型包层和活性层之间；第2导光层(23)，设置于p型包层和活性层之间。导光层(21、23)包括由GaN构成的第1层(31、35)和由InGaN构成的第2层(33、37)，各导光层中的第1及第2层的总厚度大于0.1μm。

主权项

一种III族氮化物半导体激光二极管，具有：III族氮化物基板，其具有半极性的主面；第1导电型的第1包层，被设置于所述III族氮化物基板上，由含Al的III族氮化物构成；活性层，被设置于所述第1包层上；第2导电型的第2包层，被设置于所述活性层上，由含Al的III族氮化物构成；和导光层，被设置于所述第1包层和所述活性层之间以及所述第2包层和所述活性层之间中的至少一方，所述导光层包括：由Inx1Ga1‑x1N构成的第1层，其中0≤x1＜1；和被设置于所述第1层和所述活性层之间且由Inx2Ga1‑x2N构成的第2层，其中x1＜x2＜1，所述第1层和第2层的总厚度大于0.1μm，输出的激光的波长为480nm以上且550nm以下。