一种紫外图像传感器的像素单元结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种紫外图像传感器的像素单元及其制备方法。该传感器像素单元包括一衬底，在衬底上集成两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体管，该探测晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层。驱动晶体管的栅电极与图像传感器的行扫描线相连，驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连；探测晶体管的漏电极与驱动晶体管的源电极相连，探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线，探测晶体管的栅电极接地或偏置。本发明不同于传统的单晶半导体器件，具有更强的灵活性和更低的成本，其分辨率和灵敏度得到显著提高。

主权项

一种紫外图像传感器的像素单元结构，其特征在于，包括一衬底，在衬底上集成两个薄膜晶体管，其中，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，该驱动晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体管，该探测晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层，所述驱动晶体管的栅电极与图像传感器的行扫描线相连，所述驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连，所述探测晶体管的漏电极与所述驱动晶体管的源电极相连，所述探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线，所述探测晶体管的栅电极接地或偏置；所述探测晶体管的有源层为宽禁带半导体材料，禁带宽度大于3eV。