氮化物类半导体发光元件

摘要

一种氮化物类半导体发光元件，能够抑制在接触层和电极的界面上形成肖特基势垒。氮化物类半导体发光元件(LD1)，具备：GaN基板(3)；六方晶系的氮化镓类半导体区域(5)，设在GaN基板的主面(S1)上且包括发光层(11)；以及p电极(21)，设在氮化镓类半导体区域上且由金属构成。氮化镓类半导体区域包括内含畸变的接触层(17)，接触层与p电极连接，主面沿着从与GaN基板的c轴方向正交的面以预定的倾斜角度(θ)倾斜的基准平面(S5)延伸，倾斜角度包含在大于40度且小于90度的范围或150度以上且小于180度的范围中的某一范围中。氮化镓类半导体区域与GaN基板晶格匹配。

主权项

一种氮化物类半导体发光元件，其特征在于，具备：GaN基板；六方晶系的氮化镓类半导体区域，被设置在所述GaN基板的主面上且包括发光层；以及电极，被设置在所述氮化镓类半导体区域上且由金属构成，所述氮化镓类半导体区域包括内含畸变的接触层，所述接触层与所述电极连接，所述主面沿着从与所述GaN基板的c轴方向正交的面以预定的倾斜角度倾斜的基准平面延伸，所述倾斜角度包含在大于40度且小于90度的范围或在150度以上且小于180度的范围中的任一范围中，所述氮化镓类半导体区域与所述GaN基板晶格匹配，所述接触层由p型掺杂的InGaN或p型掺杂的InAlGaN构成，所述接触层由p型掺杂的InGaN构成时，所述接触层的In的组分比处于1％以上且20％以下的范围内，所述接触层由p型掺杂的InAlGaN构成时，所述接触层的In的组分比大于所述接触层的Al的组分比乘以0.22所得到的值。