半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其包含有：P型半导体基底、N型阱区、第一P+扩散区域、第二P+扩散区域、肖特基二极管、第一N+扩散区域、第二N+扩散区域、第三P+扩散区域、第四P+扩散区域、第一绝缘层、第二绝缘层、第一寄生双极性结型晶体管以及第二寄生双极性结型晶体管。肖特基二极管耦接于输入信号。第一N+扩散区域以及第二N+扩散区域分别耦接于电压源。当输入信号的电压电平大于电压源的电压电平时，该肖特基二极管导通电荷来使得该第一寄生双极性结型晶体管与该第二寄生双极性结型晶体管均不导通。

主权项

一种半导体装置，包含有：P型半导体基底；N型阱区，设置于该P型半导体基底中；第一P+扩散区域以及第二P+扩散区域，设置于该N型阱区内；肖特基二极管，设置于该N型阱区内，用以耦接于输入信号；第一N+扩散区域以及第二N+扩散区域，设置于该N型阱区内，用以分别耦接于电压源；第三P+扩散区域以及第四P+扩散区域，设置于该P型半导体基底中；第一绝缘层，设置于该第一N+扩散区域以及该第三P+扩散区域之间；第二绝缘层，设置于该第二N+扩散区域以及该第四P+扩散区域之间；第一寄生双极性结型晶体管，其具有发射极、基极以及集电极，其中该第一寄生双极性结型晶体管的该发射极是由该第一P+扩散区域所构成，该第一寄生双极性结型晶体管的该基极是由该N型阱区串接至该第一N+扩散区域所构成，以及该第一寄生双极性结型晶体管的该集电极是由该P型半导体基底串接至该第三P+扩散区域所构成；以及第二寄生双极性结型晶体管，其具有发射极、基极以及集电极，其中该第二寄生双极性结型晶体管的该发射极是由该第二P+扩散区域所构成，该第二寄生双极性结型晶体管的该基极是由该N型阱区串接至该第二N+扩散区域所构成，以及该第二寄生双极性结型晶体管的该集电极是由该P型半导体基底串接至该第四P+扩散区域所构成，其中当该输入信号的电压电平大于该电压源的电压电平时，该肖特基二极管导通电荷来使得该第一寄生双极性结型晶体管与该第二寄生双极性结型晶体管均不导通。