| 发明名称 | 一种晶片的干燥方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶片的干燥方法，包括如下步骤：将晶片置于干燥槽内的去离子水中；向所述干燥槽通入异丙醇蒸汽；向所述干燥槽通入氮气；排出所述干燥槽内的去离子水及异丙醇；以及再通入氮气，进行氮气干燥步骤；其中，所述氮气的温度设置为47℃至53℃之间，所述氮气干燥步骤中，所述氮气通入的时间为480秒至500秒之间，在保持较好的晶片干燥效果的前提下，避免了晶片表面的防酸薄膜发生变形的现象，确保了器件的性能和成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101957124A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054932.3 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 | 发明人 | 马杰;杨爽;李伟;许峰嘉 |
| 分类号 | F26B5/16(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | F26B5/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶片的干燥方法，包括：(1)将晶片置于干燥槽内的去离子水中；(2)向所述干燥槽通入异丙醇蒸汽；(3)向所述干燥槽通入氮气；(4)排出所述干燥槽内的去离子水及异丙醇；以及(5)再通入氮气，进行氮气干燥步骤；其特征在于，其中，所述氮气的温度为47℃～53℃，在所述步骤(5)中，所述氮气通入的时间为480秒～500秒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||