发明名称 | 功率MOSFET功率因数校正器 | ||
摘要 | 一种整流变压技术领域的功率MOSFET功率因数校正器,包括:滤波电路、整流电路和升压电路,其中:滤波电路负责吸收高频电流和获得正弦波电流波形,整流电路完成将交流电压转换为正弦半波电压,升压电路完成功率因数校正和提升输出直流电压。本实用新型利用MOSFET损耗低的优点和并联二极管损耗低的优点降低损耗,提高效率。 | ||
申请公布号 | CN201726309U | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
申请号 | CN201020288612.2 | 申请日期 | 2010.08.11 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 杨喜军;田书欣;蒋婷 |
分类号 | H02M1/42(2007.01)I | 主分类号 | H02M1/42(2007.01)I |
代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 一种功率MOSFET功率因数校正器,包括:滤波电路、整流电路和升压电路,其特征在于:滤波电路的输入端和输出端分别与单相电源和整流电路相连接,升压电路的输入端和输出端分别与整流电路和负载相连。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |