| 主权项 |
1.一种具阻尼电阻之超再生接收器,接收一输入讯 号以输出一输出讯号,该超再生接收器包括: 一偏压电源,用以提供一偏压;以及 一震荡电路,耦接于该偏压电源,包括: 一谐振电路,包含一LC震荡电路,该LC震荡电路藉由 该偏压与该输入讯号而产生一特定频率之该输出 讯号; 一阻尼电阻,耦接于该谐振电路,可消除非该特定 频率之该输出讯号; 至少一放大器,耦接于该谐振电路,用以提供该谐 振电路所需之增益;以及 一抑制开关,耦接于该LC震荡电路,以控制该谐振电 路之输出;以及 一抑制(quench)控制电路,耦接于该震荡电路内之该 抑制开关与该偏压电路,以控制该抑制开关让该谐 振电路周期性地输出该输出讯号,并控制该偏压电 源是否提供该偏压。 2.如申请专利范围第1项所述之具阻尼电阻之超再 生接收器,其中该阻尼电阻系为一非线性电阻。 3.如申请专利范围第1项所述之具阻尼电阻之超再 生接收器,其中该震荡电路内之该谐振电路与该阻 尼电阻之连结关系为并联。 4.如申请专利范围第1项所述之具阻尼电阻之超再 生接收器,其中该震荡电路内之该谐振电路与该阻 尼电阻之连结关系为串联。 5.如申请专利范围第1项所述之具阻尼电阻之超再 生接收器,其中该震荡电路系由一第一电容器、一 第二电容器、一电感器、一第一NMOS、一第二NMOS 、该阻尼电阻以及该抑制开关所组成,其中,该第 一电容器、该电感器、该阻尼电阻、该抑制开关 、该第二NMOS之闸极、与该第一NMOS之汲极相接于 一第一节点,该第二电容器、该电感器之另一端、 该阻尼电阻之另一端、该抑制开关之另一端、该 第一NMOS之闸极与该第二NMOS之汲极相接于一第二 节点,该第一电容器之另一端、该第二电容器之另 一端、该第一NMOS之源极与该第二NMOS之源极接地 。 6.如申请专利范围第1项所述之具阻尼电阻之超再 生接收器,其中该震荡电路系由一第一电容器、一 第二电容器、一电感器、一第一NMOS、一第二NMOS 、该阻尼电阻以及该抑制开关所组成,其中,该电 感器与该阻尼电阻相接,该第一电容器、该电感器 之另一端、该抑制开关、该第二NMOS之闸极与该第 一NMOS之汲极相接于一第一节点,该第二电容器、 该阻尼电阻之另一端、该抑制开关之另一端、该 第一NMOS之闸极、与该第二NMOS之汲极相接于一第 二节点,该第一电容器之另一端、该第二电容器之 另一端、该第一NMOS之源极与该第二NMOS之源极接 地。 7.如申请专利范围第1项所述之具阻尼电阻之超再 生接收器,其中该震荡电路系由一第一电容器、一 第二电容器、一电感器、一第一NMOS、一第二NMOS 、该阻尼电阻、一第一抑制开关以及一第二抑制 开关所组成,其中,该第一电容器、该电感器、该 阻尼电阻、该第一抑制开关、该第二NMOS之闸极与 该第一NMOS之汲极相接于一第一节点,该第二电容 器、该电感器之另一端、该阻尼电阻之另一端、 该第二抑制开关、该第一NMOS之闸极与该第二NMOS 之汲极相接于一第二节点,该第一电容器之另一端 、该第二电容器之另一端、该第一NMOS之源极、该 第二NMOS之源极、该第一抑制开关之另一端与该第 二抑制开关之另一端接地。 图式简单说明: 图1A所示为习知技术之超再生接收器的电路图。 图1B为图1A之两个电容节点两端之差分讯号图。 图2A为具有抑制开关之简易LC震荡器的电路图。 图2B为图2A电容节点的波形图。 图3A是用于具有抑制开关之震荡器中的储能电路 图。 图3B为图3A之输出振铃波形图。 图4系依照本发明一较佳实施例所绘示的一种超再 生接收器之电路图。 图5系依照本发明一较佳实施例所绘示的一种超再 生接收器之27MHz频率的输出波形图。 图6系为测量超再生接收器于不同频率之选择性数 据图。 图7系依照本发明另一较佳实施例所绘示的一种超 再生接收器之电路图。 图8系依照本发明再一较佳实施例所绘示的一种超 再生接收器之电路图。 |
