| 摘要 |
本发明提供一种半导体元件，其源极及汲极间通道部分具有应变材料层。上述半导体元件，包括一基底，具有大于或等于矽晶格常数的材料。一第一层位于该基底上，其晶格常数大于该基底的晶格常数。一闸极位于该第一层上，该闸极包括一闸极电极及其下的一闸极介电层。一间隙壁形成于该闸极电极的侧壁、该闸极介电层的侧壁及部分该第一层的表面上。以及一第二层位于该第一层上，该第二层包括一顶表面、一底表面、及一侧表面连接该顶表面与该底表面，该第二层的晶格常数小于该第一层的晶格常数。其中该第二层位于该闸极电极与至少一部分的间隙壁之下。以及其中该第二层所有的侧表面与底表面实质上的接触该第一层。 |
