| 主权项 |
一种制造一覆晶积体电路装置之方法，其包括下列步骤：将一积体电路晶粒定位在一封装基板之一上表面上，其中该上表面包含一内部区域及一周边区域，该晶粒包含与该封装基板接触的一第一表面及具有形成于其上的一金属层之一第二相对表面；将一具有上表面及下表面之加强环定位在该晶粒附近，其包括将该下表面附于该封装基板之一周边区域；形成一第一预型片于该金属层上；形成一第二预型片于该加强环之该上表面；将一散热座定位在该第一及该第二预型片上；以及利用该第一预型片将该散热座冶金链结至该积体电路晶粒，及利用该第二预型片将该散热座冶金链结至该加强环。如请求项1之方法，其进一步包括于该第一及该第二预型片上形成一金属接合层及冶金链结该散热座至该金属接合层。如请求项2之方法，其中形成该金属接合层包括形成一含金层，其与该第一及该第二金属预型片及该金属层接触；形成一黏结层，其与该散热座接触；以及形成一阻障层，其位于该含金层及该黏结层之间。如请求项2之方法，其中该积体电路晶粒之该第二表面包括矽并且形成该接合层包括矽从该积体电路晶粒之该第二表面移入该第一预型片中，从而降低该预型片熔化的温度。如请求项2之方法，其中该积体电路晶粒之该第二表面包括矽并且形成该接合层包括矽从该积体电路晶粒之该第二表面移入该预型片中，以使该热传导接合包括矽。如请求项1之方法，其中该金属层包括一黏结层位于该晶粒上，一阻障层位于该黏结层上，以及一含金层位于该阻障层上。如请求项6之方法，其中该金属层之该含金层与该第一及该第二金属预型片接触。如请求项7之方法，其中形成该第一及该第二金属预型片包括形成一含金层位于该金属层之该含金层上。如请求项8之方法，其中该黏结层包括钛且该阻障层包括铂。如请求项1之方法，其中将该加强环之该下表面附于该封装基板之一周边区域包括利用一黏结层。 |
