| 主权项 |
一种发光装置，包含：一第一传导类型区域；一第二传导类型区域；一被放置于该第一传导类型区域与该第二传导类型区域之间的主动区，该主动区可在该第二传导类型区域中发射波长为λn的光；一反射表面，以反射由该主动区所发射之光，其中该第一传导类型区域与该第二传导类型区域之一放置于该主动区与该反射表面之间；其中该主动区之总厚度小于或等于约0.25λn，且其中该主动区之一部分位于距离该反射表面0.6λn与0.75λn之间处。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该主动区包含由一阻挡层隔离之两个量子井层。如申请专利范围第2项之发光装置，其中该等量子井层中的每一个具有约10与约60埃之间的厚度，且其中该阻挡层具有约50与约200埃之间的厚度。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该主动区包含由两个阻挡层隔离之3个量子井层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该主动区具有小于或等于约0.15λn之总厚度。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该主动区之一物理中心的位置与该反射表面相隔一定距离，该距离对应于与提取效率之一局部最大值偏差0.05λn以内的值。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该主动区之一亮度中心的位置与该反射表面相隔一定距离，该距离对应于与提取效率之一局部最大值偏差0.05λn以内的值。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该反射表面反射由该主动区所发射之多于80%的光。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该主动区包含至少一第III族氮化物层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该主动区包含至少一第III族磷化物层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该反射表面包含银。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该反射表面包含金。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该反射表面包含铝。如申请专利范围第1项之发光装置，其中：该反射表面为一第一电极；且该第一电极电连接至该第二传导类型区域，该发光装置进一步包含：一电连接至该第一传导类型区域之第二电极；及一电连接至该等第一及第二电极之下层支架。如申请专利范围第14项之发光装置，进一步包含：电连接至该下层支架之复数个引线；及一覆盖该主动区之透镜。如申请专利范围第1项之发光装置，其中：该主动区位于距离该反射表面0.6λn与0.75λn之间处的该部分包含该主动区之一第一部分；且该主动区之一第二部分位于距离该反射表面1.2λn与1.35λn之间。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该反射表面为一金属电极之一表面。如申请专利范围第1项之发光装置，其中该反射表面为一分布式Bragg反射器之一表面。一种发光装置，包含：一第一传导类型区域；一第二传导类型区域；一放置于该第一传导类型区域与该第二传导类型区域之间的主动区，该主动区可在该第二传导类型区域中发射波长为λn的光；及一反射由该主动区所发射之光的电极，其中该第二传导类型区域放置于该主动区与该电极之间；其中：该主动区包含一第一丛集及一第二丛集；该第一丛集之一部分位于距离该电极之一表面0.6λn与0.75λn之间处；该第二丛集之一部分位于距离该电极之一表面1.2λn与1.35λn之间处。如申请专利范围第19项之发光装置，其中该第一丛集与该第二丛集都包含由至少一阻挡层隔离之复数个量子井。如申请专利范围第20项之发光装置，其中该第一丛集与该第二丛集的厚度都是小于或等于约0.35λn。如申请专利范围第20项之发光装置，其中该第一丛集与该第二丛集中厚度都是小于或等于约0.15λn。如申请专利范围第19项之发光装置，其中该第一丛集与该第二丛集由一阻挡层来隔离。如申请专利范围第19项之发光装置，其中该主动区包含至少一第III族氮化物层。如申请专利范围第19项之发光装置，其中该主动区包含至少一第III族磷化物层。一种发光装置，包含：一第一传导类型区域；一第二传导类型区域；一放置于该第一传导类型区域与该第二传导类型区域之间的主动区，该主动区可在该第二传导类型区域中发射波长为λn的光；及一反射由该主动区所发射之光的电极，其中该第二传导类型区域放置于该主动区与该电极之间；其中该主动区之总厚度小于或等于约0.25λn，且其中该主动区之一部分位于距离该电极之一表面0.1λn与0.3λn之间处。一种有机发光装置，包含：第一及第二绝缘区域；一放置于该等第一与第二绝缘区域之间的磷层；及一反射由该磷层所发射之光的表面，其中该等第一及第二绝缘区域之一放置于该磷层与该反射表面之间；其中该磷层之一中心位于自该反射表面一定距离处，该距离对应于提取效率之一局部最大值。 |
