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一种半穿透半反射式画素结构，具有一穿透区与一反射区，该半穿透半反射式画素结构包括：一基板；一主动元件，配置于该基板上；一保护层，配置于该基板上，且覆盖住该主动元件；一图案化介电层，配置于该保护层上，且该图案化介电层完全遮蔽该保护层；一图案化反射层，配置于该图案化介电层上，且位于该反射区内；以及一画素电极，配置于该图案化反射层以及该图案化介电层上，其中该画素电极系位于该穿透区与该反射区内，且该画素电极系电性连接至该主动元件；其中，该保护层与该图案化介电层具有一第一接触窗，以将该主动元件的部份区域暴露，且该第一接触窗之侧壁的该保护层与该图案化介电层实质上与该图案化反射层切齐。如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构，其中该主动元件包括：一闸极，配置于该基板上；一闸绝缘层，配置于该基板上，并覆盖住该闸极；一通道层，配置于该闸绝缘层上，且位于该闸极上方；以及一源极/汲极，配置于该通道层上，其中该源/汲极分别位于该通道层之两侧，且该汲极与该画素电极电性连接。如申请专利范围第2项所述之半穿透半反射式画素结构，其中该第一接触窗将该汲极暴露，且该画素电极系透过该第一接触窗与该汲极电性连接。如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构，更包括一电容器，配置于该基板上，且位于该反射区内。如申请专利范围第4项所述之半穿透半反射式画素结构，其中该电容器包括：一第一电极，配置于该基板上；一介电层，覆盖住该第一电极；以及一第二电极，配置于该第一电极上方之该介电层上，其中该保护层与该图案化介电层覆盖住部分之该第二电极，且该第二电极与该画素电极电性连接。如申请专利范围第4项所述之半穿透半反射式画素结构，其中该保护层与该图案化介电层具有一第二接触窗，且该第二电极系透过该第二接触窗与该画素电极电性连接。如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构，其中该主动元件包括一薄膜电晶体。如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式画素结构，其中位于该反射区内之该图案化介电层的表面有多个凸起。一种半穿透半反射式画素结构的制造方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一主动元件；于该基板上形成一保护层，以覆盖住该主动元件；于该保护层上形成一图案化介电层，以覆盖住该保护层之部分区域；于该图案化介电层的部分区域上形成一图案化反射层；至少以该图案化介电层为罩幕，移除未被该图案化介电层所覆盖住之该保护层，以暴露出部份之主动元件；以及于该图案化反射层以及该图案化介电层上形成一与该主动元件电性连接之画素电极。如申请专利范围第9项所述之半穿透半反射式画素结构的制造方法，其中于该图案化介电层的部分区域上形成一图案化反射层之步骤系包括：于该图案化介电层上方形成一反射层，以覆盖住该图案化介电层；形成一图案化光阻层于该反射层上；以及藉由该图案化光阻层为罩幕，形成该图案化反射层。如申请专利范围第10项所述之半穿透半反射式画素结构的制造方法，其中至少以该图案化介电层为罩幕，移除未被该图案化介电层所覆盖住之该保护层之步骤更包括：藉由位于该图案化反射层上之一图案化光阻层为罩幕，移除未被该图案化介电层所覆盖住之该保护层。如申请专利范围第9项所述之半穿透半反射式画素结构的制造方法，其中形成该主动元件的方法包括：于该基板上形成一闸极；于该基板上形成一闸绝缘层，并覆盖住该闸极；于该闸极上方之该闸绝缘层上形成一通道层；以及于该通道层上形成一源极/汲极，其中该源极/汲极系分别位于该闸极层之两侧。如申请专利范围第12项所述之半穿透半反射式画素结构的制造方法，更包括在该反射区内之该基板上形成一与该主动元件电性连接之电容器，其中该电容器系与该主动元件同时形成于该基板上。如申请专利范围第13项所述之半穿透半反射式画素结构的制造方法，其中于该基板上形成该电容器之步骤包括：于该基板上形成一闸极时，一并形成一第一电极；于该基板上形成一闸绝缘层时，一并覆盖住该闸极以及该第一电极；以及于形成一源极/汲极时，于该第一电极上方一并形成一第二电极。如申请专利范围第14项所述之半穿透半反射式画素结构的制造方法，其中移除未被该图案化介电层所覆盖住之该保护层，以暴露出部份之主动元件时，更包括一并暴露该第二电极。如申请专利范围第14项所述之半穿透半反射式画素结构的制造方法，其中形成一与该主动元件电性连接之画素电极时，更包括一并电性连接该第二电极。 |
