| 主权项 |
一种制造半导体装置之方法，该方法包括：在基板上形成蚀刻目标层，其中该基板包括胞元区域以及周围区域；在该蚀刻目标层上形成第一硬遮罩层、第二硬遮罩层以及抗反射涂布层；在该抗反射涂布层上形成感光图案；蚀刻该抗反射涂布层，以使其具有比该感光图案之宽度还要小的宽度；蚀刻该第二硬遮罩层；在该第一硬遮罩层上执行主蚀刻及过蚀刻；以及蚀刻该蚀刻目标层。如申请专利范围第1项之方法，其中，该第一硬遮罩层包括氮化物系材料，而该第二硬遮罩层包括碳系材料。如申请专利范围第1项之方法，其中，蚀刻该抗反射涂布层之步骤包含使用包括CF4气体、CHF3气体及O2气体的混合气体，其中该CF4气体以大约50sccm到70sccm的速率流动，该CHF3气体以大约30sccm到50sccm的速率流动，且该O2气体以大约5sccm到10sccm的速率流动。如申请专利范围第3项之方法，其中，蚀刻该抗反射涂布层之步骤在以下条件中进行：100mTorr到150mTorr的压力；以及大约200W到400W的顶部功率。如申请专利范围第1项之方法，其中，蚀刻该第二硬遮罩层之步骤包含使用包括N2气体以及O2气体的混合气体，其中该N2气体以大约30sccm到50sccm的速率流动，且该O2气体以大约50sccm到70sccm的速率流动。如申请专利范围第5项之方法，其中，蚀刻该第二硬遮罩层之步骤在以下条件中进行：大约10mTorr到20mTorr的压力；以及大约1,400W到1,600W的顶部功率。如申请专利范围第1项之方法，其中，在该第一硬遮罩层上进行该主蚀刻之步骤包括使用终点侦测模式。如申请专利范围第1项之方法，其中，在该第一硬遮罩层上进行该主蚀刻及该过蚀刻之步骤包含：以不同的速率来使CHF系气体流动。如申请专利范围第8项之方法，其中，在该第一硬遮罩层上进行该主蚀刻之步骤包含使用包括CHF3气体、CF4气体及O2气体的混合气体，其中该CHF3气体以大约20sccm到40sccm的速率流动，该CF4气体以大约80sccm到100sccm的速率流动，且该O2气体以大约5sccm到10sccm的速率流动。如申请专利范围第9项之方法，其中，在该第一硬遮罩层上进行该主蚀刻之步骤系在以下条件中进行：大约100mTorr到200mTorr的压力；大约100W到200W的顶部功率；以及大约700W到800W的底部功率。如申请专利范围第1项之方法，其中，在该第一硬遮罩层上进行该过蚀刻之步骤包含使用CHF3气体及O2气体，其中该CHF3气体以大约90sccm到110sccm的速率流动，且该O2气体以大约5sccm到10sccm的速率流动。如申请专利范围第11项之方法，其中，在该第一硬遮罩层上进行该过蚀刻之步骤系在以下条件中进行：大约100mTorr到200mTorr的压力；大约100W到200W的顶部功率；以及大约700W到800W的底部功率。如申请专利范围第1项之方法，其中，在该第一硬遮罩层上进行该过蚀刻之步骤包含：对在该胞元区域中之第一硬遮罩层进行过蚀刻，使得完成图案具有倾斜的外形。如申请专利范围第1项之方法，其中，形成该蚀刻目标层之步骤包含：将该蚀刻目标层形成为闸极电极及位元线电极其中之一。如申请专利范围第14项之方法，其中，形成该蚀刻目标层之步骤包含：使用从由复晶矽、金属和金属矽化物所组成之群组的其中之一来形成该蚀刻目标层。一种制造半导体装置之方法，该方法包括：在基板上形成蚀刻目标层，其中该基板包括胞元区域以及周围区域；在该蚀刻目标层上形成第一硬遮罩层、第二硬遮罩层以及抗反射涂布层；在该抗反射涂布层上形成感光图案；蚀刻该抗反射涂布层，以使其具有比该感光图案之宽度还要小的宽度；蚀刻该第二硬遮罩层；以及蚀刻该第一硬遮罩层，使得在该周围区域中的该第一硬遮罩层被蚀刻多于在该胞元区域中的该第一硬遮罩层，其中在该胞元区域中的该已蚀刻之第一硬遮罩层具有倾斜的外形。如申请专利范围第16项之方法，其中，在该胞元区域中的该第一硬遮罩层之宽度系大于该已蚀刻之抗反射涂布层的宽度。如申请专利范围第16项之方法，其中，蚀刻该第一硬遮罩层之步骤包含：以不同的速率来使CHF系气体流动。如申请专利范围第16项之方法，其中，蚀刻该第一硬遮罩层之步骤包含：对在该胞元区域中之该第一硬遮罩层进行过蚀刻。如申请专利范围第16项之方法，其中，更包含蚀刻该蚀刻目标层之步骤。 |
