| 主权项 |
一种静电吸盘之供电构造，系针对于金属基盘的上面侧，以靠近金属基盘之顺序具备：下部绝缘层、电极层及表面绝缘介电层所形成的静电吸盘，以：贯穿前述金属基盘的上下面间之贯穿孔、及配设于此贯穿孔内，将从金属基盘的下面侧所供给的电压供应至层积在上面侧的电极层之供电端子、及以电气绝缘性材料所形成，对前述贯穿孔的内壁与供电端子之间予以绝缘，并且保持前述供电端子之绝缘保持构件所构成，其特征为：前述供电端子，系具有：突出金属基盘的上面侧之供电侧端部，此供电侧端部的前端，系从前述电极层与下部绝缘层的界面，为位于电极层侧，且于前述电极层与表面绝缘介电层的界面以下。如申请专利范围第1项所记载之静电吸盘之电极构造，其中，供电端子的供电侧端部，系被形成为：于前端具有保有特定面积的顶面，并且，朝向前端逐渐缩小直径之突起状。如申请专利范围第2项所记载之静电吸盘之电极构造，其中，至少与下部绝缘层相接的供电端子的供电侧端部的侧面，系具有特定曲率之曲面。如申请专利范围第1项所记载之静电吸盘之电极构造，其中，供电端子系由金属钛所形成。如申请专利范围第1项所记载之静电吸盘之电极构造，其中，绝缘保持构件，其至少露出金属基盘的上面侧之部分，系由多孔质陶瓷所形成，下部绝缘层，系以与前述多孔质陶瓷相接之方式熔射陶瓷粉末所形成。一种静电吸盘供电构造之制造方法，系针对于金属基盘的上面侧，以靠近金属基盘之顺序具备：下部绝缘层、电极层及表面绝缘介电层所形成的静电吸盘，以：贯穿前述金属基盘的上下面间之贯穿孔、及配设于此贯穿孔内，将从金属基盘的下面侧所供给的电压供应至层积在上面侧的电极层之供电端子、及以电气绝缘性材料所形成，对前述贯穿孔的内壁与供电端子之间予以绝缘，并且保持前述供电端子之绝缘保持构件所构成之静电吸盘供电构造之制造方法，其特征为具有：于贯穿孔内介由绝缘保持构件而配设有供电端子，并且，于供电端子的一部份突出金属基盘的上面侧之金属基盘的上面侧，熔射陶瓷粉末来形成下部绝缘层之工程、及熔射金属粉末，以将突出金属基盘的上面侧之供电端子的供电侧端部之前端予以埋设之方式，或与供电侧端部的前端成为同一平面之方式，来形成电极层之工程、及熔射陶瓷粉末，来形成表面绝缘介电层之工程。如申请专利范围第6项所记载之静电吸盘供电构造之制造方法，其中，绝缘保持构件，其至少露出金属基盘的上面侧之部分，系由多孔质陶瓷所形成，与此多孔质陶瓷相接来形成下部绝缘层。一种静电吸盘供电构造之再生方法，系将针对于金属基盘的上面侧，以靠近金属基盘之顺序具备：下部绝缘层、电极层及表面绝缘介电层所形成的静电吸盘，以：贯穿前述金属基盘的上下面间之贯穿孔、及配设于此贯穿孔内，将从金属基盘的下面侧所供给的电压供应至层积在上面侧的电极层之供电端子、及以电气绝缘性材料所形成，对前述贯穿孔的内壁与供电端子之间予以绝缘，并且保持前述供电端子之绝缘保持构件所构成之静电吸盘之供电构造予以再生之方法，其特征为具有：从使用完毕之静电吸盘的金属基盘，将表面绝缘介电层、电极层及下部绝缘层予以去除之工程、及于贯穿孔内介由绝缘保持构件而配设有供电端子，并且，于供电端子的一部份突出金属基盘的上面侧之金属基盘的上面侧，熔射陶瓷粉末来形成下部绝缘层之工程、及熔射金属粉末，以将突出金属基盘的上面侧之供电端子的供电侧端部之前端予以埋设之方式，或与供电侧端部的前端成为同一平面之方式，来形成电极层之工程、及熔射陶瓷粉末，来形成表面绝缘介电层之工程。如申请专利范围第8项所记载之静电吸盘供电构造之再生方法，其中，包含：在形成电极层之工程之前，将供电端子的供电侧端部加工为：于前端具有保有特定面积的顶面，并且，朝向前端，逐渐缩小直径之突起状之工程。 |
