| 主权项 |
一种用于制造一半导体装置之方法，其包含：在一基板之一顶部表面上形成一包含铜(Cu)之薄膜；抛光该基板之一后表面，该薄膜之表面部分于该基板之该后表面之该抛光期间系用以作为一保护膜，其中该薄膜之该等表面部分于该基板之该后表面之该抛光期间系为一最上层之膜；其中该基板在其该后表面上具有一用于防止该铜扩散的扩散防止膜，该扩散防止膜包含氮化矽(SiN)、碳化矽(SiC)及碳氧化矽(SiOC)中之一者，且其中该扩散防止膜于该基板之该后表面之该抛光期间被抛光；及继抛光于该基板之该后表面上之该扩散防止膜之后，将该薄膜之该等表面部分抛光。如请求项1之方法，其中藉由使用一在其中含有树脂颗粒之抛光液，执行该基板之该后表面之该抛光。如请求项2之方法，其中该等所使用之树脂颗粒在其表面上具有一官能基。如请求项1之方法，其中藉由使用一在其中含有一表面活性剂之抛光液，执行该基板之该后表面之该抛光。如请求项1之方法，其中藉由使用一在其中含有树脂颗粒及一表面活性剂之抛光液，执行该基板之该后表面之该抛光。如请求项1之方法，其中该铜系用以作为电互连布线。如请求项1之方法，其中一使用一多孔材料之多孔材料膜被形成在该基板之该顶部表面上，且其中在该薄膜之该形成期间，该薄膜被形成于该多孔材料膜上方。如请求项1之方法，其中藉由使用一在其中含有矽酸胶(colloidal silica)之抛光液，执行该基板之该后表面之该抛光。如请求项1之方法，其进一步包含：继已抛光该基板之该后表面之后且仍在该薄膜之该抛光之前，清洁该基板之该后表面。如请求项1之方法，其中于形成该薄膜之前，进一步包含：于该基板之一上表面及该后表面上形成该扩散防止膜。一种用于制造一半导体装置之方法，其包含：在一基板之一后表面上形成一用于防止铜(Cu)扩散的扩散防止膜，该扩散防止膜包含氮化矽(SiN)、碳化矽(SiC)及碳氧化矽(SiOC)中之一者；使用该铜在该基板之一顶部表面上形成一导电材料膜，该铜之扩散由该扩散防止膜防止；继该导电材料膜形成之后，藉由使用在其中含有树脂颗粒及矽酸胶之任一者之一抛光液，抛光在该基板之该后表面上形成之该扩散防止膜，该导电材料膜之表面部分系用以作为一保护膜，其中该导电材料膜之该等表面部分于抛光该扩散防止膜之期间系为一最上层之膜；及继抛光该扩散防止膜之后，将该导电材料膜之该等表面部分抛光。如请求项11之方法，其中在该扩散防止膜之该抛光中，该扩散防止膜系以使其一部分保留至该抛光结束时之方式被抛光。如请求项11之方法，其中该抛光液进一步含有一表面活性剂。如请求项11之方法，其中进一步包含：于该基板之一上表面上形成一扩散防止膜。 |
