| 主权项 |
一种待执行于一离子植入装置中之离子束测定方法，该离子植入装置用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置具有分别位于该目标之上流侧及下流侧上之一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，且分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向，该离子植入装置进一步具有一装设于该前级多点法拉第之一上流附近并具有该离子束所穿过之一孔径的光罩、一在该y方向上驱动该前级多点法拉第之前级法拉第驱动装置、一装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面之后级射束限制快门，及一在该y方向上驱动该后级射束限制快门之后级快门驱动装置，该离子束测定方法包含：一前级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定通过该光罩之该孔径及入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一前级中心位置计算步骤，其中自该前级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一中心位置ycf；一后级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一后级中心位置计算步骤，其中自该后级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一中心位置ycb；及一角度偏差计算步骤，其中使用该前级中心位置计算步骤中所获取之该中心位置ycf、该后级中心位置计算步骤中所获取之该中心位置ycb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一角度偏差θy：θy=tan-1{(ycb-ycf)/L}。一种待执行于一离子植入装置中之离子束测定方法，该离子植入装置用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置具有分别位于该目标之上流侧及下流侧上之一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，且分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向，该离子植入装置进一步具有一装设于该前级多点法拉第之一上流附近并具有该离子束所穿过之一孔径的光罩、一在该y方向上驱动该前级多点法拉第之前级法拉第驱动装置、一装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束，并具有一实质上平行于该x方向之侧面之后级射束限制快门，及一在该y方向上驱动该后级射束限制快门之后级快门驱动装置，该离子束测定方法包含：一前级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定通过该光罩之该孔径及入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一前级射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；一后级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一后级射束尺寸计算步骤，其中自该后级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及一发散角计算步骤，其中使用该前级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一发散角αmax：αmax=tan-1{(dyb-dyf)/2L}。一种待执行于一离子植入装置中之离子束测定方法，该离子植入装置用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置具有分别位于该目标之上流侧及下流侧上之一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，且分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向，该离子植入装置进一步具有一装设于该前级多点法拉第之一上流附近并具有该离子束所穿过之一孔径的光罩、一在该y方向上驱动该前级多点法拉第之前级法拉第驱动装置、一装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面之后级射束限制快门，及一在该y方向上驱动该后级射束限制快门之后级快门驱动装置，该离子束测定方法包含：一前级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定通过该光罩之该孔径及入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一前级射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；一后级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一后级射束尺寸计算步骤，其中自该后级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及一射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyb、该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L、该前级多点法拉第之该等入口与该目标之间的一距离L1及该目标与该后级射束限制快门之间的一距离L2，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该目标上之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyt：dyt=(L2/L)dyf+(L1/L)dyb(其中L=L1+L2)。一种待执行于一离子植入装置中之离子束测定方法，该离子植入装置用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置具有分别位于该目标之上流侧及下流侧上之一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，且分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向，该离子植入装置进一步具有一在该y方向上驱动该前级多点法拉第之前级法拉第驱动装置、一装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面之后级射束限制快门，及一在该y方向上驱动该后级射束限制快门之后级快门驱动装置，该离子束测定方法包含：一前级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一前级中心位置计算步骤，其中自该前级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一中心位置ycf；一后级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一后级中心位置计算步骤，其中自该后级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一中心位置ycb；及一角度偏差计算步骤，其中使用该前级中心位置计算步骤中所获取之该中心位置ycf、该后级中心位置计算步骤中所获取之该中心位置ycb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一角度偏差θy：θy=tan-1{(ycb-ycf)/L}。如申请专利范围第1或4项之离子束测定方法，进一步包含：一前级射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；一后级射束尺寸计算步骤，其中自该后级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及一发散角计算步骤，其中使用该前级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一发散角αmax：αmax=tan-1{(dyb-dyf)/2L}。如申请专利范围第5项之离子束测定方法，进一步包含：一射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyb、该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的该距离L、该前级多点法拉第之该等入口与该目标之间的一距离L1及该目标与该后级射束限制快门之间的一距离L2，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该目标上之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyt：dyt=(L2/L)dyf+(L1/L)dyb(其中L=L1+L2)。一种待执行于一离子植入装置中之离子束测定方法，该离子植入装置用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置具有分别位于该目标之上流侧及下流侧上之一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，且分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向，该离子植入装置进一步具有一在该y方向上驱动该前级多点法拉第之前级法拉第驱动装置、一装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面之后级射束限制快门，及一在该y方向上驱动该后级射束限制快门之后级快门驱动装置，该离子束测定方法包含：一前级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一前级射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；一后级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一后级射束尺寸计算步骤，其中自该后级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及一发散角计算步骤，其中使用该前级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一发散角αmax：αmax=tan-1{(dyb-dyf)/2L}。一种待执行于一离子植入装置中之离子束测定方法，该离子植入装置用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置具有分别位于该目标之上流侧及下流侧上之一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，且分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向，该离子植入装置进一步具有一在该y方向上驱动该前级多点法拉第之前级法拉第驱动装置、一装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面之后级射束限制快门，及一在该y方向上驱动该后级射束限制快门之后级快门驱动装置，该离子束测定方法包含：一前级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一前级射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；一后级射束电流密度分布测定步骤，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；一后级射束尺寸计算步骤，其中自该后级射束电流密度分布测定步骤中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及一射束尺寸计算步骤，其中自该前级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算步骤中所获取之该射束尺寸dyb、该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L、该前级多点法拉第之该等入口与该目标之间的一距离L1及该目标与该后级射束限制快门之间的一距离L2，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该目标上之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyt：dyt=(L2/L)dyf+(L1/L)dyb(其中L=L1+L2)。一种离子植入装置，其用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置包含：一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，分别位于该目标之上流侧及下流侧上，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向；一光罩，其装设于该前级多点法拉第之一上流附近并具有该离子束所穿过之一孔径；一前级法拉第驱动装置，其在该y方向上驱动该前级多点法拉第；一后级射束限制快门，其装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面；一后级快门驱动装置，其在该y方向上驱动该后级射束限制快门；及一控制装置，其执行：(a)一前级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定通过该光罩之该孔径及入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(b)一前级中心位置计算过程，其中自该前级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一中心位置ycf；(c)一后级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(d)一后级中心位置计算过程，其中自该后级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一中心位置ycb；及(e)一角度偏差计算过程，其中使用该前级中心位置计算过程中所获取之该中心位置ycf、该后级中心位置计算过程中所获取之该中心位置ycb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一角度偏差θy：θy=tan-1{(ycb-ycf)/L}。一种离子植入装置，其用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置包含：一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，分别位于该目标之上流侧及下流侧上，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向；一光罩，其装设于该前级多点法拉第之一上流附近并具有该离子束所穿过之一孔径；一前级法拉第驱动装置，其在该y方向上驱动该前级多点法拉第；一后级射束限制快门，其装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面；一后级快门驱动装置，其在该y方向上驱动该后级射束限制快门；及一控制装置，其执行：(a)一前级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定通过该光罩之该孔径及入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(b)一前级射束尺寸计算过程，其中自该前级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；(c)一后级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(d)一后级射束尺寸计算过程，其中自该后级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及(e)一发散角计算过程，其中使用该前级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一发散角αmax：αmax=tan-1{(dyb-dyf)/2L}。一种离子植入装置，其用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置包含：一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，分别位于该目标之上流侧及下流侧上，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向；一光罩，其装设于该前级多点法拉第之一上流附近并具有该离子束所穿过之一孔径；一前级法拉第驱动装置，其在该y方向上驱动该前级多点法拉第；一后级射束限制快门，其装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面；一后级快门驱动装置，其在该y方向上驱动该后级射束限制快门；及一控制装置，其执行：(a)一前级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定通过该光罩之该孔径及入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(b)一前级射束尺寸计算过程，其中自该前级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；(c)一后级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(d)一后级射束尺寸计算过程，其中自该后级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及(e)一射束尺寸计算过程，其中自该前级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyb、该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L、该前级多点法拉第之该等入口与该目标之间的一距离L1及该目标与该后级射束限制快门之间的一距离L2，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该目标上之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyt：dyt=(L2/L)dyf+(L1/L)dyb(其中L=L1+L2)。一种离子植入装置，其用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置包含：一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，分别位于该目标之上流侧及下流侧上，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向；一前级法拉第驱动装置，其在该y方向上驱动该前级多点法拉第；一后级射束限制快门，其装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面；一后级快门驱动装置，其在该y方向上驱动该后级射束限制快门；及一控制装置，其执行：(a)一前级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(b)一前级中心位置计算过程，其中自该前级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一中心位置ycf；(c)一后级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(d)一后级中心位置计算过程，其中自该后级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一中心位置ycb；及(e)一角度偏差计算过程，其中使用该前级中心位置计算过程中所获取之该中心位置ycf、该后级中心位置计算过程中所获取之该中心位置ycb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一角度偏差θy：θy=tan-1{(ycb-ycf)/L}。如申请专利范围第9或12项之离子植入装置，其中该控制装置进一步执行：(f)一前级射束尺寸计算过程，其中自该前级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；(g)一后级射束尺寸计算过程，其中自该后级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及(h)一发散角计算过程，其中使用该前级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一发散角αmax：αmax=tan-1{(dyb-dyf)/2L}。如申请专利范围第13项之离子植入装置，其中该控制装置进一步执行：(i)一射束尺寸计算过程，其中自该前级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyb、该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的该距离L、该前级多点法拉第之该等入口与该目标之间的一距离L1及该目标与该后级射束限制快门之间的一距离L2，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该目标上之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyt：dyt=(L2/L)dyf+(L1/L)dyb(其中L=L1+L2)。一种离子植入装置，其用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置包含：一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，分别位于该目标之上流侧及下流侧上，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向；一前级法拉第驱动装置，其在该y方向上驱动该前级多点法拉第；一后级射束限制快门，其装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面；一后级快门驱动装置，其在该y方向上驱动该后级射束限制快门；及一控制装置，其执行：(a)一前级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(b)一前级射束尺寸计算过程，其中自该前级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；(c)一后级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(d)一后级射束尺寸计算过程，其中自该后级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及(e)一发散角计算过程，其中使用该前级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyb及该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该离子束在该y方向上之一发散角αmax：αmax=tan-1{(dyb-dyf)/2L}。一种离子植入装置，其用以藉由一具有x方向上之一尺寸大于实质上垂直于该x方向之y方向上之一尺寸的一条带状形状之离子束，经由在x方向上扫描或不经由在x方向上扫描而照射一目标，该离子植入装置包含：一前级多点法拉第及一后级多点法拉第，分别位于该目标之上流侧及下流侧上，该前级多点法拉第及该后级多点法拉第中之每一者藉由在该x方向上并列来测定该离子束之一射束电流之复数个侦测器而加以组态，分别将该前级多点法拉第之复数个入口之上部末端及下部末端连接在一起的线中之至少一者实质上平行于该x方向；一前级法拉第驱动装置，其在该y方向上驱动该前级多点法拉第；一后级射束限制快门，其装设于该后级多点法拉第之一上流附近以阻断该离子束并具有一实质上平行于该x方向之侧面；一后级快门驱动装置，其在该y方向上驱动该后级射束限制快门；及一控制装置，其执行：(a)一前级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该前级法拉第驱动装置而在该y方向上驱动该前级多点法拉第的同时，测定入射于该前级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该前级多点法拉第之该等入口之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(b)一前级射束尺寸计算过程，其中自该前级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该前级多点法拉第之该等入口之该位置处的该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyf；(c)一后级射束电流密度分布测定过程，其中在藉由该后级快门驱动装置而在该y方向上驱动该后级射束限制快门的同时，测定通过该后级射束限制快门之该侧面之一外部及入射于该后级多点法拉第上的该离子束之一射束电流之一变化，以获取该后级射束限制快门之一位置处之该离子束在该y方向上之一射束电流密度分布；(d)一后级射束尺寸计算过程，其中自该后级射束电流密度分布测定过程中所获取之该射束电流密度分布，获取该后级射束限制快门之该位置处之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyb；及(e)一射束尺寸计算过程，其中自该前级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyf、该后级射束尺寸计算过程中所获取之该射束尺寸dyb、该前级多点法拉第之该等入口与该后级射束限制快门之间的一距离L、该前级多点法拉第之该等入口与该目标之间的一距离L1及该目标与该后级射束限制快门之间的一距离L2，基于一以下方程式或数学上等效于该方程式之一方程式而获取该目标上之该离子束在该y方向上之一射束尺寸dyt：dyt=(L2/L)dyf+(L1/L)dyb(其中L=L1+L2)。 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