| 主权项 |
一种基板处理装置，其具备：处理室；在上述处理室内至少保持复数片制品用基板的保持构件；加热上述基板的加热构件；至少对上述处理室内交互地供给第1及第2反应物质的供给构件；开口于上述处理室的排气口；及控制部；上述控制部系将上述第1反应物质供给上述处理室内，在使上述第1反应物质吸附于保持在上述保持构件上的上述制品用基板上后，从上述处理室内除去剩余的上述第1反应物质，接着将上述第2反应物质供给上述处理室内，并令其与吸附于上述基板上的第1反应物质反应，以执行在上述基板上形成薄膜的处理；在保持于上述保持构件上的上述制品用基板的片数，少于上述保持构件可保持的上述制品用基板的最大保持片数的情况，执行在上述制品用基板的片数不足的状态下形成薄膜的处理。如申请专利范围第1项之基板处理装置，其中在保持于上述保持构件上的上述制品用基板的片数，少于上述保持构件可保持的上述制品用基板的最大保持片数的情况，上述控制部将制品用基板充填保持于上述保持构件的气体上游侧，将上述保持构件的排气口侧作为未保持区域，以执行在基板上形成薄膜的处理。如申请专利范围第1项之基板处理装置，其中上述供给构件系由具备多数气体喷出孔的细长喷嘴所构成，上述保持构件系于上述喷嘴的长度方向叠层保持复数片基板，并使排气口位于上述喷嘴的长度方向一端侧的构造，在保持于上述保持构件上的制品用基板的片数，少于上述保持构件可保持的上述制品用基板的最大保持片数的情况，上述控制部将上述制品用基板充填保持于上述保持构件的上述喷嘴的长度方向的另一端侧，以执行在基板上形成薄膜的处理。如申请专利范围第1至3项中任一项之基板处理装置，其中在保持于上述保持构件上的上述制品用基板的片数，少于上述保持构件可保持的上述制品用基板的最大保持片数的情况，上述控制部系以利用上述保持构件保持上述制品用基板的最大保持片数时相同的加热构件之条件，来执行薄膜形成处理。如申请专利范围第1至3项中任一项之基板处理装置，其中在保持于上述保持构件上的上述制品用基板的片数，少于上述保持构件可保持的上述制品用基板的最大保持片数的情况，上述控制部系将暴露于上述制品用基板表面的反应物质之浓度，作成与上述保持构件保持上述制品用基板的最大保持片数的情况相同，来执行薄膜形成处理。一种半导体元件的制造方法，其具备以下步骤：在处理室内的保持构件上保持复数片制品用基板的第1步骤；加热上述基板的第2步骤；对上述处理室内供给第1反应物质，并使上述第1反应物质吸附于上述制品用基板上的第3步骤；从上述处理室内除去剩余的上述第1反应物质的第4步骤；将第2反应物质供给上述处理室内，并令其与吸附于上述制品用基板上的第1反应物质反应，在上述基板上形成薄膜的第5步骤；及直到在上述制品用基板上形成所需厚度的薄膜为止，以指定次数至少重复地执行上述第3步骤至第5步骤的第6步骤，在保持于上述保持构件上的上述制品用基板的片数，少于上述保持构件可保持的上述制品用基板的最大保持片数的情况，在上述制品用基板的片数不足的状态下进行上述步骤。 |
