| 主权项 |
1.一种非晶矽薄膜电晶体液晶显示器装置,其系包 括: 一绝缘基体,其系包括一其上形成有一图素阵列之 显示区域,和一其上形成有多数移位暂存器之驱动 电路区域; 一些闸极样式,彼等系形成在其基体上面,此等闸 极样式,系包括一闸极线和一闸极电极; 一主动性薄层样式,其系形成在其闸极绝缘薄膜上 面; 一些资料样式,彼等系形成在该等基体和主动性薄 层样式上面,此等资料样式系包括:一与其主动性 薄层样式之第一区域相接触的源极电极、一与其 主动性薄层样式之第二区域相接触的汲极电极、 和一连接至此汲极电极之资料线; 一钝化薄层,其系形成在上述包括资料样式之基体 上面,此钝化薄层系具有:一可暴露其显示区域之 汲极电极的第一接点孔、一可暴露每一移位暂存 器之第一电晶体的闸极电极之第二接点孔、和一 可暴露其第一电晶体之源极与汲极电极的第三接 点孔;和 一些电极样式,彼等系形成在其钝化薄层上面,以 及系包括一可透过其第一接点孔连接至其显示区 域之汲极电极的第一电极,和一可使其闸极电极透 过其第二和第三接点孔与其第一电晶体之源极和 汲极相连接的第二电极。 2.如申请专利范围第1项之装置,其进一步系包括一 些布置在其驱动电路区域之基体上面的主接线,彼 等可施加信号给每一移位暂存器,此等移位暂存器 之主接线,系由一单一薄层所形成。 3.如申请专利范围第1项之装置,其进一步系包括一 些布置在其驱动电路区域之基体上面而与该等主 接线相交的支接线,彼等可使该等主接线,连结至 其驱动电路区域中之每一移位暂存器的一个电晶 体。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中之支接线在该 等支接线与主接线彼此相交之处的部分,系具有一 较其主接线为窄之线宽度。 5.如申请专利范围第3项之装置,其中之主接线,系 由一不同于其支接线之薄层所形成。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中之主接线,系 由一如同该等闸极样式中之薄层所形成,而该等主 接线,系由一如同该等资料样式中之薄层所形成。 7.如申请专利范围第5项之装置,其中之主接线,系 由一如同该等资料样式中之薄层所形成,而该等主 接线,系由一如同该等闸极样式中之薄层所形成。 8.如申请专利范围第3项之装置,其中之电极样式, 系进一步包括一第三电极,其系透过一形成在一主 接线上面之第四接点孔,和一形成在一支接线上面 之第五接点孔,使一主接线与一支接线相连接。 9.如申请专利范围第8项之装置,其中之第四和第五 接点孔,系具有一较该等支接线之线宽度为大的尺 度。 10.如申请专利范围第1项之装置,其中之驱动电路 区域中的驱动电晶体之闸极电极,系具有一框结构 ,以及其之源极和汲极,系具有一叉指型结构。 11.如申请专利范围第1项之装置,其中进一步系包 括一电容器下部电极,其系形成在其显示区域之基 体上面,以及系与其闸极线平行相隔,此电容器下 部电极,系由一如同该等闸极电极中之薄层所形成 。 12.一种非晶矽薄膜电晶体液晶显示器装置,其系包 括: 一绝缘基体,其系包括一其上形成有多数闸极线和 多数资料线之显示区域,和一闸极驱动电路区域; 多数之移位暂存器,彼等系形成在其闸极驱动电路 区域上面,此等移位暂存器,系包括许多具有一闸 极电极和一些源极和汲极电极之薄膜电晶体,此等 移位暂存器,系接续地选择多数之闸极线; 一些主接线,彼等系布置在其闸极驱动电路区域之 基体上面,藉以施加信号给每一移位暂存器,此等 移位暂存器之主接线,系由一单一薄层所形成; 一钝化薄层,其系形成在上述包括移位暂存器和主 接线之基体上面,此钝化薄层系具有:一可暴露其 显示区域之资料线的一部分之第一接点孔、一可 暴露每一移位暂存器之第一电晶体的闸极电极之 第二接点孔、和一可暴露其第一电晶体之源极与 汲极电极的第三接点孔;和 一些电极样式,彼等系形成在其钝化薄层上面,此 等电极样式系包括一可透过其第一接点孔连接至 其显示区域之资料线的第一电极,和一可使其闸极 电极透过其第二和第三接点孔与其第一电晶体之 源极和汲极相连接的第二电极。 13.如申请专利范围第12项之装置,其中进一步系包 括一些布置在其驱动电路区域之基体上面而与该 等主接线相交的支接线,彼等可使此等主接线,连 结至其每一移位暂存器之电晶体。 14.如申请专利范围第13项之装置,其中之支接线在 该等支接线与主接线彼此相交之处的部分,系具有 一较其主接线为窄之线宽度。 15.如申请专利范围第13项之装置,其中之主接线,系 由一不同于其支接线之薄层所形成。 16.如申请专利范围第15项之装置,其中之主接线,系 由一如同该等闸极线中之薄层所形成,而该等主接 线,系由一如同该等资料线中之薄层所形成。 17.如申请专利范围第15项之装置,其中之主接线,系 由一如同该等资料线中之薄层所形成,而该等主接 线,系由一如同该等闸极线中之薄层所形成。 18.如申请专利范围第13项之装置,其中之电极样式, 系进一步包括一第三电极,其系透过一形成在一主 接线上面之第四接点孔,和一形成在一支接线上面 之第五接点孔,使一主接线与一支接线相连接。 19.如申请专利范围第18项之装置,其中之第四和第 五接点孔,系具有一较该等支接线之线宽度为大的 尺度。 20.如申请专利范围第12项之装置,其中之驱动电路 区域中的驱动电晶体之闸极电极,系具有一框结构 ,以及其之源极和汲极,系具有一叉指型结构。 21.一种非晶矽薄膜电晶体液晶显示器装置之制作 方法,其包括之步骤有: 使一些包括闸极线和闸极电极之闸极样式,形成在 一具有一其上形成有一图素阵列之显示区域和一 其上形成有多数移位暂存器之驱动电路区域的绝 缘基体上面; 在其包括闸极样式之基体上面,形成一闸极绝缘薄 膜; 在该等闸极电极上方之闸极绝缘薄膜上面,形成一 些主动性薄层样式; 在该等基体和主动性薄层样式上面,形成一些资料 样式,此等资料样式系包括:一与其主动性薄层样 式之第一区域相接触的源极电极、一与其主动性 薄层样式之第二区域相接触的汲极电极、和一连 接至此汲极电极之资料线; 在上述包括资料样式之基体上面,形成一钝化薄层 ; 蚀刻该等钝化薄层和闸极绝缘薄膜,以形成一可暴 露其显示区域之汲极电极的第一接点孔、一可暴 露每一移位暂存器之第一电晶体的闸极电极之第 二接点孔、和一可暴露其第一电晶体之源极与汲 极电极的第三接点孔;以及 在其钝化薄层上面,形成一电极样式,此等电极样 式,系包括一可透过其第一接点孔连接至其显示区 域之汲极电极的第一电极,和一可使其闸极电极透 过其第二和第三接点孔与其第一电晶体之源极和 汲极相连接的第二电极。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中,在形成该等 闸极样式之步骤中,或在形成该等资料样式之步骤 中,一些由一如同其闸极样式或资料样式中之薄层 所构成的主接线,系形成其在驱动电路区域之基体 上面,以及系自第一移位暂存器至最后之移位暂存 器,均由同一薄层所形成。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中,在形成该等 资料样式之步骤中,或在形成该等闸极样式之步骤 中,一些由一如同其闸极样式或资料样式中之薄层 所构成的支接线,系形成其在驱动电路区域之基体 上面,以及在形成上系与该等主接线相交,藉以使 此等主接线,连接至该等移位暂存器之电晶体。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中之支接线在 该等支接线与主接线彼此相交之处的部分,系具有 一较其主接线为窄之线宽度。 25.如申请专利范围第23项之方法,其中,一可暴露其 主接线之一部分的第四接点孔,和一可暴露其支接 线之一部分的第五接点孔,系在形成其第一、第二 、和第三接点孔之步骤中加以形成,以及该等电极 样式,系进一步包括一第三电极,其可透过该等第 四和第五个接点孔,使一主接线与一支接线相连接 。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中之第四和第 五接点孔,系具有一较其支接线之线宽度为大的尺 度。 27.如申请专利范围第21项之方法,其中之电容器下 部电极,系在形成该等闸极样式之步骤中,形成在 其显示区域之基体上面,以及系与其闸极线平行相 隔,此电容器下部电极,系由一如同该等闸极电极 中之单一薄层所形成。 28.如申请专利范围第21项之方法,其中之驱动电路 区域中之驱动电晶体的闸极电极,系具有一框结构 ,以及其之源极和汲极,系具有一叉指型结构。 29.一种非晶矽薄膜电晶体液晶显示器装置之制作 方法,其包括之步骤有: 使一些包括闸极线和闸极电极之闸极样式,形成在 一具有一其上形成有一图素阵列之显示区域和一 其上形成有多数移位暂存器之驱动电路区域的绝 缘基体上面; 在其包括闸极样式之基体上面,形成一闸极绝缘薄 膜; 使用一光罩,在该等闸极电极上方之闸极绝缘薄膜 上面,形成一些主动性薄层样式和资料样式,此等 资料样式系包括:一与其主动性薄层样式之第一区 域相接触的源极电极、一与其主动性薄层样式之 第二区域相接触的汲极电极、和一连接至该等汲 极电极之资料线; 在上述包括资料样式之基体上面,形成一钝化薄层 ; 蚀刻该等钝化薄层和闸极绝缘薄膜,以形成一可暴 露其显示区域之汲极电极的第一接点孔、一可暴 露每一移位暂存器之第一电晶体的闸极电极之第 二接点孔、和一可暴露其第一电晶体之源极与汲 极电极的第三接点孔;以及 在其钝化薄层上面,形成一电极样式,此等电极样 式,系包括一可透过其第一接点孔连接至其显示区 域之汲极电极的第一电极,和一可使其闸极电极透 过其第二和第三接点孔与其第一电晶体之源极和 汲极相连接的第二电极。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中,在形成该等 闸极样式之步骤中,或在形成该等资料样式之步骤 中,一些由一如同其闸极样式或资料样式中之薄层 所构成的主接线,系形成其在驱动电路区域之基体 上面,以及系自第一移位暂存器至最后之移位暂存 器,均由同一薄层所形成。 31.如申请专利范围第29项之方法,其中,在形成该等 资料样式之步骤中,或在形成该等闸极样式之步骤 中,一些由一如同其闸极样式或资料样式中之薄层 所构成的支接线,系形成其在驱动电路区域之基体 上面,以及在形成上系与该等主接线相交,藉以使 此等主接线,连接至每一移位暂存器之电晶体。 32.如申请专利范围第31项之方法,其中之支接线在 该等支接线与主接线彼此相交之处的部分,系具有 一较其主接线为窄之线宽度。 33.如申请专利范围第31项之方法,其中,一可暴露其 主接线之一部分的第四接点孔,和一可暴露其支接 线之一部分的第五接点孔,系在形成其第一、第二 、和第三接点孔之步骤中加以形成,以及该等电极 样式,系进一步包括一第三电极,其可透过该等第 四和第五个接点孔,使一主接线与一支接线相连接 。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中之第四和第 五接点孔,系具有一较其支接线之线宽度为大的尺 度。 35.如申请专利范围第29项之方法,其中使用一光罩 形成该等主动性薄层样式和资料样式之步骤所包 括的步骤有: 接续地淀积一非晶矽薄层、一掺杂剂掺杂式非晶 矽薄层、和一金属薄层; 在其金属薄层上面,形成一光敏性薄膜样式,而使 其源极电极与汲极电极间之通道部分的高度,低于 此等源极电极与汲极电极间之表面高度;以及 使用上述之光敏性薄膜样式,作为一光罩,样式化 上述暴露之金属薄层和其下层之掺杂式非晶矽薄 层与非晶矽薄层,藉以形成该等主动性薄层样式和 资料样式。 36.如申请专利范围第29项之方法,其中之电容器下 部电极,系在形成该等闸极样式之步骤中,形成在 其显示区域之基体上面,以及系与其闸极线平行相 隔,此电容器下部电极,系由一如同其闸极电极中 之薄层所形成。 37.如申请专利范围第29项之方法,其中之驱动电路 区域中之驱动电晶体的闸极电极,系具有一框结构 ,以及其之源极和汲极,系具有一叉指型结构。 图式简单说明: 第1图系一可示意例示一传统式多晶矽TFT-LCD装置 之平面图; 第2图系一可示意例示一传统式非晶矽TFT-LCD装置 之平面图; 第3图系一依据此揭示发明之一实施例将一些移位 暂存器施加至一非晶矽TFT-LCD装置中之闸极驱动电 路区域的电路图; 第4图系第3图之移位暂存器的一个方块图; 第5图系一依据此揭示发明之一实施例的非晶矽TFT -LCD装置之剖视图; 第6图系一依据此揭示发明之一实施例的非晶矽TFT -LCD装置之闸极驱动电路区域的平面图; 第7图系一依据此揭示发明之一实施例的非晶矽TFT -LCD装置之显示区域的平面图;而 第8A至11B图系一些可例示一依据此揭示发明之一 实施例的非晶矽TFT-LCD装置之制作方法的平面图。 |
