摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dismutierung mindestens eines Halogensilans und Verminderung des Gehaltes von Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung des mindestens einen Halogensilans und des erhaltenen mindestens einen Silans, indem mindestens ein Halogensilan der allgemeinen Formel (I), HnSiClm, wobei n und m ganzzahlig sind und n = 1, 2 oder 3 und m=1, 2 oder 3 und n + m=4 sind, mit einem partikulären, organischen, aminofunktionellen Harz in Kontakt gebracht wird und mindestens ein Silan der allgemeinen Formel (II), HaSiClb, wobei a und b ganzzahlig sind und a = 0, 2, 3 oder 4 und b = 0, 1, 2 oder 4 mit a + b= 4 sind, in einem Schritt gewonnen wird, in dem der Gehalt an Fremdmetall und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen gegenüber dem Halogensilan der Formel (I) vermindert ist. Gegenstand der Erfindung ist ferner die Verwendung dieses Harzes zur Dismutierung von Halogensilanen und als Adsorber von Fremdmetallen oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen in einem Verfahren zur Herstellung von Monosilan.</p> |
申请人 |
EVONIK DEGUSSA GMBH;MUEH, EKKEHARD;RAULEDER, HARTWIG;MONKIEWICZ, JAROSLAW;SCHORK, REINHOLD |
发明人 |
MUEH, EKKEHARD;RAULEDER, HARTWIG;MONKIEWICZ, JAROSLAW;SCHORK, REINHOLD |