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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
为了提供一种用于制造半导体装置之低成本、容易使用且效率高的方法,其排除了在凸块形成时对于阻碍金属的形成或除去的需要、以及一种具有配置在一窄间距之细凸块之高性能半导体装置。该方法包含:形成多数个电极垫在一半导体基体的一表面上;形成绝缘层(例如,无机绝缘层与有机绝缘层)以覆盖每一电极垫的周围;选择性地形成一遮罩层在该等绝缘层上;清洗该等电极垫未覆盖有该等绝缘层的表面;形成外部端于该等绝缘层与遮罩层所定义之区域以至于它们系与该等电极垫接触;及除去该遮罩层。
申请公布号
TW200733269
申请公布日期
2007.09.01
申请号
TW095119164
申请日期
2006.05.30
申请人
富士通股份有限公司
发明人
藤森城次
分类号
H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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